SK海力士豪掷54万亿韩元扩产，双线布局HBM与AI级NAND产能

为抢占AI算力基础设施的结构性增长高地，全球存储巨头SK海力士近日正式敲定新一轮重磅产能扩张计划。经董事会批准，公司将投入约54万亿韩元（约合人民币2567亿元），在韩国龙仁与清州两地同步新建两座先进晶圆厂。此次战略落子精准锚定AI产业爆发期对高端存储的刚性需求，旨在通过双线扩产，全面夯实其在HBM高带宽内存及企业级NAND闪存领域的全球供应链主导地位。

龙仁Y2：HBM的“新母舰”

据悉，龙仁Y2是SK海力士在龙仁半导体集群内规划的四座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约113万平方米，定位为高端DRAM生产基地，主打HBM等新一代高带宽内存产品。

该项目计划2027年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，投资分阶段实施至2031年10月，资金覆盖厂房、员工配套楼宇、综合研发中心、水电变电等全套基建。目前，龙仁集群园区一期水、电基础设施已完成99%建设。SK海力士已将整片龙仁集群的完工时间从2045年提前至2033年，Y2是实现这一目标的核心环节。

当前，龙仁Y1晶圆厂的建设正在顺利推进。Y2是SK海力士在龙仁集群内规划的四座工厂中的第二座，两座工厂之间存在制程节点的代际转移规划。在完成园区基础设施和第一座工厂的运营经验积累后，Y2的建设将更加高效。

清州M17：NAND产能的“加速器”

清州M17闪存工厂投资19.1万亿韩元（约合人民币908亿元），建筑面积约68万平方米。依托清州现有的成熟NAND产线与完备水电配套，建设进度更快。

该工厂计划2027年2月动工，2028年12月投用首间无尘室，投资周期至2031年4月。项目聚焦企业级SSD、AI推理KV缓存等场景所需NAND闪存产能扩充，可与园区现有M11、M12、M15产线协同生产。

高端存储：AI竞争的第二战场

此次大规模扩产，并非SK海力士的短期跟风布局，而是基于行业长期发展趋势的战略性落子。

行业机构Omdia预测，2025至2030年，全球DRAM、NAND存储芯片市场年均需求增速将达到19%，AI数据中心建设、智能算力迭代正在持续拉动高端存储芯片需求爆发式增长。传统消费级存储市场增长放缓，但AI专用高端存储领域迎来结构性上行周期，行业发展逻辑已然重构。

SK海力士表示，存储器已从普通零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，行业已进入结构性增长周期。单纯的技术优势已不足以抢占市场，稳定交付足量产能才是核心竞争力。

此次54万亿韩元的重磅投资，是SK海力士适配行业变革的关键布局。通过分区布局、双线扩产，企业同时巩固了HBM高端内存与AI专用闪存两大核心优势，补齐了高端产能缺口。中长期来看，随着两座晶圆厂逐步投产落地，SK海力士将进一步拉大与行业竞品的产能差距，持续主导全球高端存储芯片市场，同时也将为全球AI产业的规模化、高质量发展提供坚实的存储算力支撑。