发布成功
发布时间：2026-08-10 阅读量：1645 来源: IT之家 发布人: bebop
我爱方案网8月10日消息，据外媒报道，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%，即将达成原定 2026 年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。
业内消息源称，三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，远不能达到 DRAM 行业大规模商业化所需水平，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。
而随着良率的持续增长，该企业已确保能在 HBM4 上收获丰厚的回报，自然愿意将更多 DRAM 晶圆产能分配到 HBM4 上来。
有消息称，三星电子计划将本季度的 HBM4 销售额扩大到上季度的 3 倍以上，最终将其在下半年整体 HBM 中的营收占比扩展到 60+%，并在年底前获得与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市占。
纳芯微发布车规级线性电流传感器 NSM2025，搭载自研 BendingMag™聚磁技术，器件集成集磁片，搭配外部 U 型磁芯使用，符合 AEC-Q100 Grade 0 车规标准。针对新能源汽车电驱系统大电流检测、安装空间紧张的痛点，该产品支持和 PCB、母排灵活组合装配，适用于新能源车电机逆变器、BMS 以及各类过流检测场景。
是德科技推出全新 XG7 系列 PSG 模拟信号发生器，最高频率可达 20 GHz。这款仪器采用 2U 单机箱架构，内部搭载两路相互独立的信号通道，拥有优异低噪声性能与校准输出功率，便于工程师精准完成器件性能评估。紧凑双通道方案无需额外占用机架空间，有效提升测试容量。
是德科技助力加利福尼亚大学伯克利分校推进6G空口测试研究
苹果iPhone系列手机10月订单较最初要求减少至15%！
英伟达将不再向GeForce RTX 50 系列游戏显卡分配 GB202，该 GPU 的供应将由 RTX PRO Blackwell 专业显卡独占。
