传三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%

发布时间:2026-08-10 阅读量:58 来源: IT之家 发布人: bebop

我爱方案网8月10日消息,据外媒报道,三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%,即将达成原定 2026 年底实现的目标;更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。

业内消息源称,三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右,远不能达到 DRAM 行业大规模商业化所需水平,这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。

而随着良率的持续增长,该企业已确保能在 HBM4 上收获丰厚的回报,自然愿意将更多 DRAM 晶圆产能分配到 HBM4 上来。

有消息称,三星电子计划将本季度的 HBM4 销售额扩大到上季度的 3 倍以上,最终将其在下半年整体 HBM 中的营收占比扩展到 60+%,并在年底前获得与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市占。


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