发布时间：2026-08-19 阅读量：90 来源: IT之家 发布人: bebop
我爱方案网8月19日消息，据韩媒 the bell报道，三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发，2026 年 12 月进入量产转移阶段，2027H1 启动生产线建设，有望 2027 年底实现首批量产。
SK 海力士此前在业界率先完成 1c nm 节点 DRAM 开发，三星电子试图在 1d nm 阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面，三星电子已定下为 HBM5E 内存导入 1d nm DRAM Die 的目标，提早完成底层技术构建可为后续 HBM 的推出打下坚实基础。
与此同时，SK 海力士的 1d nm DRAM 目前处于热测试良率提升阶段，预计 2026 年 12 月完成研发。
不过，三星电子和 SK 海力士的 1d nm DRAM 技术目前仍处于较早期阶段，整体产品完成度离量产目标仍有很大的待优化空间。
AI算力扩张引爆半导体超级周期。TechInsights最新预测显示，2026年全球半导体市场规模将同比大涨98.3%至1.7万亿美元，2027年进一步突破2.2万亿美元。本轮行情由AI数据中心建设主导，GPU、HBM、高端DRAM及先进封装等成为产业瓶颈。其中，存储芯片市场规模预计暴涨298%至9164亿美元，行业呈现显著的“量缩价涨”特征，AI算力需求正深刻冲击整条科技供应链。
AI算力扩张催生数据中心基建热潮，功率半导体迎来新一轮景气周期。受AI服务器高功率密度需求驱动，800V高压直流架构加速普及，SiC与GaN渗透率稳步提升。据基准测算，数据中心用功率半导体市场规模将在2026年达到57亿美元，至2031年有望突破140亿美元，成为决定整机性能与能效的核心元器件。
eFuse（电子保险丝）正加速替代传统熔断器，成为新能源汽车与AI服务器供电系统的核心保护方案。相比传统器件，eFuse具备纳秒级响应、无限次自动复位、±3%-±5%高精度保护及实时故障诊断能力。受GB 38031—2025新国标落地及AI服务器功率密度飙升双重驱动，单车eFuse用量有望从5-10颗提升至20-30颗，AI服务器单机用量亦达15-25颗，市场空间加速打开。
全球32位通用MCU市场长期遵循"低端卷价格、中高端拼差异化、高端拼生态"的竞争逻辑，英飞凌、意法半导体、NXP等国际巨头在工业控制、汽车电子等高端市场筑起了牢固的技术壁垒。国产MCU虽借助缺货潮在低端市场站稳脚跟，但价格战难以为继。如今，边缘智能应用的兴起正在重构MCU产业的竞争规则——中高端市场的竞争从单纯"拼CPU性能"转向"系统级能力整合"，这为国产厂商提供了新的技术追赶窗口期。
谷歌收购破产航司内部数据用于AI训练的交易再添一笔。据彭博社报道，谷歌近日以1000万美元竞得精神航空的海量业务数据，包括1亿封邮件、5亿条Teams聊天记录、3000万行代码及算法等，在竞标中击败了AI数据公司Mercor。谷歌承诺所有数据将经过第三方严格脱敏，不涉及乘客敏感信息。这一交易再次暴露了AI行业面临的"数据饥渴"——随着公开互联网数据被逐步耗尽，破产企业的内部运营数据正成为新的稀缺资源。
