高通称三星和SK海力士支持HBC与HBM的联合开发

三星电子和 SK 海力士正积极与高通公司合作，推进其高带宽计算 (HBC) 技术的商业化，同时继续推进其现有的高带宽内存 (HBM) 开发路线图。

高通公司执行副总裁兼总经理杜尔加·马拉迪 (Durga Malladi) 于 8 月 26 日在德意志银行 2026 年技术大会上表示，在高通公司投资者日活动上介绍 HBC 的优势并强调 HBM 的不足之后不久，他便访问了韩国，并与两家主要的存储器制造商进行了会面。马拉迪表示，他最初预计这两家公司会对高通的介绍持强烈反对态度，但出乎意料的是，他们积极主动地提出在 HBC 项目上开展合作。目前，这两家存储器制造商正在参与 HBC 的开发，并将其与各自的 HBM 路线图并行推进。

HBC架构将多个低功耗DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠，并放置在下方的加速芯片（XPU）之上，XPU作为计算核心。与传统的水平连接计算和内存的系统相比，该架构能够实现更高的数据传输带宽。它是一种近内存计算（NMC）技术，并且与HBM一样，使用硅通孔（TSV）进行垂直堆叠。

高通公司在6月份的投资者日上正式发布了HBC。高通数据中心事业部执行副总裁兼总经理托尼·皮亚利斯当时表示，GPU和HBM之间不断交换数据，会产生大量热量并消耗大量电力。他认为，这种架构已无法满足人工智能（AI）模型快速发展的需要，亟需创新。高通将HBC定位为HBM结构性局限性的替代方案。

HBC 的开发旨在解决人工智能推理中的瓶颈问题。其有效数据传输带宽可达数百 TB/s。目前人工智能加速器中 HBM 的总带宽约为 21 至 24 TB/s。与相同功耗的 HBM 相比，HBC 的带宽和令牌吞吐量效率均提升了六倍。与传统 GPU 系统相比，在相同功耗下，其令牌吞吐量可提升至八倍。此外，与 SRAM 相比，HBC 在总体拥有成本 (TCO) 方面也具有优势，并且速度比传统 DRAM 更快。

高通将仅负责HBC制造中的设计和系统集成工作。它将开发位于DRAM芯片下方的计算芯片，并提供TSV设计。存储器制造商三星电子和SK海力士将负责DRAM堆叠。高通计划与台积电合作，完成各项技术的集成和封装。

Malladi表示，第一代HBC产品计划于明年实现商业化和出货，高通正与两家韩国内存制造商紧密合作，以确保DRAM供应充足。他还表示，第一代HBC已运抵高通实验室进行验证，而第二代HBC将进一步提升计算芯片的性能，并拉大与下一代HBM的性能差距。

第一代HBC将于明年部署在高通的AI250人工智能加速器中。该公司计划于2028年推出搭载第二代HBC的AI300。HBC还可以连接到高通的Dragonfly C1000数据中心服务器CPU。

与HBM类似，HBC也可以作为独立产品提供给客户。开发并拥有自有AI计算芯片的超大规模数据中心运营商可以单独购买HBC并将其集成到自己的处理器中。

Malladi表示，HBC是一项通用技术，高通正在研发适用于包括智能手机、平板电脑、个人电脑、扩展现实（XR）设备和汽车在内的一系列消费电子设备的技术规范。该公司计划将HBC应用于消费电子设备，用于设备端人工智能处理。商业化通常在产品规划和讨论阶段之后约三年左右完成。