发布时间:2010-10-12 阅读量:1188 来源: 发布人:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
图:IR公司应用工程师殷汉杰。
并且,IGBT的应用领域非常的广泛,不仅可以用于家电的驱动,如洗衣机、空调系统等;工业电机驱动;感应加热;正弦波逆变器;而且在照明,如高电压气体放电灯的应用中也非常合适。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“我们一直以节约全球能源为己任,作为电源管理创新的领导者,我们希望能够与中国工程师分享我们的高能效电源管理解决方案,包括氮化镓技术平台。”
此外,IR在本次展会上还展示其最新的产品和平台,包括氮化镓功率器件平台GaNpowIR。此外,还将展示最新推出的X-Phase和 DirectFETMOSFET 芯片组、SupIRBuck系列集成稳压器和用于AC-DC 电源的 SmartRectifier IC,以及用于电器的 iMOTION集成设计平台。其它一些展示产品还包括适合高可靠性应用的DC-DC 转换器和模块,以及适用于汽车、照明、D类音频等各种不同领域的基准 MOSFET、IGBT和高压 IC。
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2025年9月10-12日,SEMI-e深圳国际半导体展将携手中国国际光电博览会(CIOE),在深圳国际会展中心构建覆盖32万平方米的全球半导体产业生态平台。本届展会由集成电路创新联盟与CIOE联合主办,预计吸引超1000家国际头部企业参展,涵盖芯片设计、晶圆制造、先进封装、核心设备及材料等全产业链环节。展区规划聚焦六大核心领域——IC设计与应用、半导体制造、化合物半导体、先进封装技术、设备与材料、AI算力基础设施,集中展示第三代半导体、Chiplet封装、车规芯片等前沿技术成果,推动半导体与光电、汽车、通信等产业的交叉创新。
全球半导体产业正经历深度结构性调整,龙头企业集体陷入"投产困局"与"亏损漩涡"的双重考验。三星电子美国泰勒工厂设备进口延期、台积电海外基地运营成本失控等标志性事件,暴露出行业面临市场需求周期性下行、地缘政治扰动加剧、技术迭代成本陡增等系统性压力。贝恩咨询数据显示,2023年全球晶圆代工板块平均毛利率下降8.2个百分点,而3nm以下先进制程研发支出激增42%,印证产业步入"高投入、低回报"的战略转型深水区。在此背景下,头部企业通过技术联盟重构、区域产能优化等创新策略,试图在行业洗牌中重塑竞争优势。
在智能汽车高速发展的浪潮下,车载通信网络正面临数据传输速率、信号完整性及国产化替代的多重挑战。近日,南芯科技推出的车规级高速CAN/CAN FD收发器SC25042Q,以5Mbps传输速率、自主振铃抑制技术及全场景兼容性破局而生。该产品通过AEC-Q100认证,对标国际品牌性能,不仅解决了传统CAN总线在复杂拓扑下的信号失真和误码率难题,更依托全国产化供应链实现成本优化,为智能座舱、车身控制及新能源高压系统提供了高可靠通信方案,成为国产车载芯片突围高端市场的关键落子。
根据Counterpoint Research最新报告,2025年第一季度中国智能手机市场销量同比增长2.5%,延续了2024年以来的温和复苏趋势。这一增长主要得益于国家补贴政策的刺激:自1月启动的“国补”计划覆盖售价低于6000元人民币的机型,单机最高补贴500元,直接拉动中高端市场消费活力。数据显示,补贴政策实施首月(1月20日-26日)单周销量同比激增65%,显示出政策对换机需求的显著撬动作用。