发布时间:2010-10-12 阅读量:1053 来源: 发布人:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
图:IR公司应用工程师殷汉杰。
并且,IGBT的应用领域非常的广泛,不仅可以用于家电的驱动,如洗衣机、空调系统等;工业电机驱动;感应加热;正弦波逆变器;而且在照明,如高电压气体放电灯的应用中也非常合适。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“我们一直以节约全球能源为己任,作为电源管理创新的领导者,我们希望能够与中国工程师分享我们的高能效电源管理解决方案,包括氮化镓技术平台。”
此外,IR在本次展会上还展示其最新的产品和平台,包括氮化镓功率器件平台GaNpowIR。此外,还将展示最新推出的X-Phase和 DirectFETMOSFET 芯片组、SupIRBuck系列集成稳压器和用于AC-DC 电源的 SmartRectifier IC,以及用于电器的 iMOTION集成设计平台。其它一些展示产品还包括适合高可靠性应用的DC-DC 转换器和模块,以及适用于汽车、照明、D类音频等各种不同领域的基准 MOSFET、IGBT和高压 IC。
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晶体谐振器里面的晶体指的是石英晶体,化学式是二氧化硅SiO2。
有源晶振的自振荡特性和无源晶振的使用需求。内容涉及晶振的内部构造,特别是石英晶体的压电效应及其在机械振动中的作用。