发布时间：2010-10-12 阅读量：1216 来源: 发布人:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
图：IR公司应用工程师殷汉杰。
并且，IGBT的应用领域非常的广泛，不仅可以用于家电的驱动，如洗衣机、空调系统等；工业电机驱动；感应加热；正弦波逆变器；而且在照明，如高电压气体放电灯的应用中也非常合适。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“我们一直以节约全球能源为己任，作为电源管理创新的领导者，我们希望能够与中国工程师分享我们的高能效电源管理解决方案，包括氮化镓技术平台。”
此外，IR在本次展会上还展示其最新的产品和平台，包括氮化镓功率器件平台GaNpowIR。此外，还将展示最新推出的X-Phase和 DirectFETMOSFET 芯片组、SupIRBuck系列集成稳压器和用于AC-DC 电源的 SmartRectifier IC，以及用于电器的 iMOTION集成设计平台。其它一些展示产品还包括适合高可靠性应用的DC-DC 转换器和模块，以及适用于汽车、照明、D类音频等各种不同领域的基准 MOSFET、IGBT和高压 IC。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
