发布时间:2010-10-14 阅读量:1243 来源: 发布人:
随着电子技术的深入发展,各种智能仪器越来越多,涉及领域越来越广,而仪器对电源的要求也越来越高。现今,电源设备有朝着数字化方向发展的趋势。然 而绝大多数数控电源设计是通过高位数的A/D和D/A芯片来实现的,这虽然能获得较高的精度,但也使得成本大为增加。本文介绍一种基于AVR单片机PWM 功能的低成本高精度数控恒流源,能够精确实现0~2A恒流。
系统框图
图1 为系统的总体框图。本系统通过小键盘和LCD实现人机交流,小键盘负责接收要实现的电流值,LCD 12864负责显示。AVR单片机根据输入的电流值产生对应的PWM波,经过滤波和功放电路后对压控恒流元件进行控制,产生电流,电流再经过采样电阻到达 负载。同时,对采样电阻两端信号进行差分和放大,送入ADC。单片机根据采集到的值调整PWM输出,从而调整了输出电流。如此反复,直到电流达到设定要 求。
图1 数控恒流源系统框图
模块介绍
1 人机接口模块
本模块包括小键盘电路和液晶显示电路。键盘设计为3×4键盘,由数字键0~9,功能键“删除”及 “确认”组成,采用反转法实现键值识别。显示电路由带中文字库的LCD 12864构成,该液晶可以每行8个汉字显示4行。由于这部分电路比较简单,在此不详述。
2 核心控制模块
系统的核心控制模块为AVR单片机(ATMEGA 16L)。主要使用了AVR的PWM功能和A/D功能。
AVR 单片机片内有一个具有16位PWM功能的定时/计数器。在普通模式下,计数器不停地累加,计到最大值(TOP=0xffff)后溢 出,返回到最小值0x0000重新开始。当启用PWM功能即在单片机的快速PWM模式下,通过调整OCR1A的值可实现输出PWM波的占空比变化。产生 PWM波形的机理是:PWM引脚电平在发生匹配时(匹配值为0~0xffff之间的值,如图2中的C),以及在计数器清零(从MAX变为BOTTOM)的 那一个定时器时钟周期内发生跳变,具体实现过程如图2所示。
图2 PWM波产生过程
图 2中的C~F为OCR1A匹配值。从图中可见,波形在每个匹配值处以及计数清零时输出发生变化,从而实现了PWM波。由于OCR1A的值 可以从0x0000到0xffff,共有65535个值,因此PWM波的最大分辨率为1/65535,满足系统分辨率设计要求。PWM波的频率为:
(1)
其中,fclk_I/O为 系统时钟频率 (7.3728MHz),N为分频系数(取1、8、64、256或1024)。在N取1时,根据式(1)得PWM波的最大频率为7.3728MHz;当N 取1024时,PWM波的最小频率为 7.2kHz。本系统N取256,PWM波频率为28.8kHz。
单片机内部有1个10位的逐次逼近型ADC,当使用片内VCC作为参考电压Vref,其分辨率为:
(2)
若使用片内的2.56V基准源作为参考电压,依据式(2)可得到其分辨率为0.003V。
当系统需要更高的分辨率时,可以通过软件补偿的方法来实现。具体实现方法可参考相关资料。
3 滤波和功放模块
图3 二阶RC低通滤波电路
PWM波产生后不能直接用于控制MOSFET,需把其变成能随占空比变化而变化的直流电压。在此,我们选用二阶RC低通无源滤波器,并取得了很好的效果。
二阶RC低通无源滤波器的系统函数为:
(3)
其中,A为通带增益,Q为品质因素, ω0为截止频率。根据式(1)算出PWM波的频率,取截止频率为30kHz,由式(3)可确定对应的电阻、电容值。
由于无源滤波器的负载能力差,信号经过二阶无源滤波网络后衰减比较厉害,需要增加一级功率放大电路。功放电路比较简单,也有经典电路,限于篇幅不再赘述。
4 恒流源模块
恒流源采用的是压控恒流元件IRF540,它的VGS为20V,ID为33A。截止时,最大漏电流为1μA,导通电阻仅有0.04Ω,图4为IRF540的特性曲线。
图4 IRF540特性曲线
由图4可知,当VGS为5V时,可输出电流就可达到30A左右,完全能实现小电压控制大电流的目的。具体应用电路如图5所示。
图5 横流电路
IRF540 的G极接PWM波转换后的直流电压,D极接能提供15V/5A电流的电源(可采用开关电源),S极用来接采样电阻和负载。采样 电阻应采用温漂系数低、阻值为10mΩ、精度为1%的大功率锰铜丝电阻。当对采样电阻两端信号进行差分后,可得到采样电阻两端的电压值U,而 在已知采样电阻阻值情况下,很容易得到流经采样电阻的电流,即I=U/R。由于负载与采样电阻在同一条支路,故流经负载的电流也为I。差分放大电路的放大 倍数可根据采样电阻阻值以及ADC的参考电压来选择,图5中要求R1=R3,R2=R4,放大倍数为R4/R3。需要注意的是该电路应该具有很高的输入阻 抗,以减少对负载电路的影响。差分信号经ADC口送入单片机进行处理。
软件设计
由图6可知,整个系统是一个动态的闭环系统。由于PWM初始匹配值设置的大小不同,电流值在开始时可能会跟设定值有较大偏差。随着闭环系统的自我调整,逐渐使输出稳定在设定值上下。系统达到稳定状态的时间以及稳定后电流值波动的幅度,可根据设计要求由软件来调整。
图6 程序流程图
实验结果
我们对此数控恒流源进行了负载测试,测试结果如下:
从表1和表2的实测数据中可以看出,该恒流源在负载为100Ω以内,最大误差仅为2mA,在0~200mA段没有误差,满足了设计要求,达到了较高的精度。
如果需要提高200mA段以上的精度,可采用软件补偿的方法实现。即先测量足够多的测试数据,然后采用曲线拟合方法对数据分段进行补偿,详细方法可参考相关资料。
结语
本文介绍的基于PWM技术的数控恒流源电路结构简单,成本低,系统稳定可靠,精度高,已经应用于工业生产。如果设计要求更高的恒流值,可以更换更大功率的+15V/I电源,以及更换合适的压控恒流元件。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。