发布时间:2010-11-10 阅读量:1172 来源: 我爱方案网 作者:
1 前言
TPS2216是TI公司生产的双槽PCMCIA/ Cardbus电源控制器,具有两组可编程电源输出xVCC (0V,3,3V,5V)和xVPP(OFF,0V,3.3V,5V, 12V)。稳定的电流输出:xVCC最大电流可达1A, xVPP最大电流250mA. TPS2216完全符合PC卡工业协会的电源接口规范,并有低开关阻抗,短路保护和过温度保护等特点,休眠状态最大静态电流消耗只有150uA。适用于便携式电脑,PDA,数码相机,条码扫描仪等多种终端设备。TPS2216采用两种封装形式:DB 30引脚封装和DAP 32引脚封装。如图1所示DB 30的引脚排列。
![]() |
图1 TPS2216(DB 30)引脚图 |
2 主要信号引脚定义
如图1所示TPS2216引脚分两大类,即电源信号引脚和控制信号引脚,下面对各引脚做详细描述:
3 TPS2216的内部结构
TPS2216的内部结构如图2所示,下面对其主要组成模块作一介绍:
![]() |
图2 TPS2216内部结构图 |
2.1 数字开关模块
TPS2216内建数字开关模块,通过可编程逻辑开关组,选择xVCC和xVPP工作电压输出,每组可编程逻辑开关都有电流感应FETs(Current Sense FETs)会监测xVCC和xVPP的输出电压,而电流感应FETs不像感应电阻(Sense Resistors)和保险丝电路(Fuse Circuit)那样增大电源开关的有效阻抗,产生电源损耗和电压降,充分满足开关组工作的电压精度要求. TPS2216有两种可编程开关状态由Mode(工作模式)引脚控制 :TPS2206开关模式, TPS2216开关模式.
TPS2206开关模式(Mode=Low or NC),此时xVCC控制xVPP电压输出,电压逻辑输出表如下所示:
TPS2206逻辑开关模式
xVPP
AVPP 控制信号
|
输出
V_AVPP
|
BVPP控制信号
|
输出
V_BVPP
|
||||
D8(SHDN#)
|
D0
|
D1
|
D8(SHDN#)
|
D4
|
D5
|
||
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
1
|
V_AVCC
|
1
|
0
|
1
|
V_BVCC
|
1
|
1
|
0
|
12V
|
1
|
1
|
0
|
12V
|
1
|
1
|
1
|
Hi-Z
|
1
|
1
|
1
|
Hi-Z
|
0
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
0
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
xVCC
AVCC控制信号
|
输出
V_AVCC
|
BVCC控制信号
|
输出
V_BVCC
|
||||
D8(SHDN#)
|
D3
|
D2
|
D8(SHDN#)
|
D6
|
D7
|
||
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
1
|
3.3V
|
1
|
0
|
1
|
3.3V
|
1
|
1
|
0
|
5V
|
1
|
1
|
0
|
5V
|
1
|
1
|
1
|
0V
|
1
|
1
|
1
|
0V
|
0
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
0
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
TPS2216开关模式(Mode=High),此时xVCC, xVPP电压相互独立输出,电压逻辑输出表如下所示:
TPS2216逻辑开关模式
xVPP
AVPP控制信号
|
输出V_AVPP
|
BVPP控制信号
|
输出V_BVPP
|
||||||
D8(SHDN#)
|
D0
|
D1
|
D9
|
D8(SHDN#)
|
D4
|
D5
|
D10
|
||
1
|
0
|
0
|
x
|
0V
|
1
|
0
|
0
|
x
|
0V
|
1
|
0
|
1
|
0
|
3.3V
|
1
|
0
|
1
|
0
|
3.3V
|
1
|
0
|
1
|
1
|
5V
|
1
|
0
|
1
|
1
|
5V
|
1
|
1
|
0
|
x
|
12V
|
1
|
1
|
0
|
x
|
12V
|
1
|
1
|
1
|
x
|
Hi-Z
|
1
|
1
|
1
|
x
|
Hi-Z
|
0
|
x
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
0
|
x
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
xVCC
AVCC控制信号
|
输出
V_AVCC
|
BVCC控制信号
|
输出
V_BVCC
|
||||
D8(SHDN#)
|
D3
|
D2
|
D8(SHDN#)
|
D6
|
D7
|
||
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
0
|
0V
|
1
|
0
|
1
|
3.3V
|
1
|
0
|
1
|
3.3V
|
1
|
1
|
0
|
5V
|
1
|
1
|
0
|
5V
|
1
|
1
|
1
|
0V
|
1
|
1
|
1
|
0V
|
0
|
x
|
x
|
Hi-Z
|
0
|
X
|
x
|
Hi-Z
|
数字开关模块通过数字开关选通3.3V, 5V,12V电压输出,每组数字开关都有过电流检测控制,TPS2216 xVCC的过电流限制可达1A~2.2A, xVPP的过电流限制在250mA-500mA之间. 通过串口界面DATA, CLOCK,LATCH信号与PC卡控制器(PCMCIA/Cardbus Controller)作数据交换,控制可编程逻辑开关,调节组电源电压输出.
如下图3所示串行接口工作时序,采用Tektronix公司的TDS694C型示波器测量3个信道信号:串口数据信号,串口数据锁存信号,串口时钟信号的工作时序。如图所示串行数据在LATCH信号上升沿被锁存. TDS694C型数字实时示波器具有以下特点:
![]() |
图3 串行接口工作时序图 |
2.2 过电流保护模块
PC卡电源控制器必须有短路保护,过压保护等措施以应对PC卡不正常插拔方式带来的损害,TPS2216采用双端过电流保护模式,专门设计用于电源开关开启时有过电流发生或输出短路的情况.当有过电流发生时,TPS2216会通过OC#脚向MCU或主控制器发出过电流警报信号,如果过电流状态持续发生,超出IC临界工作温度,TPS2216将开启热保护电路(Thermal-Protection Circuit),关闭所有输出电压,直至IC的温度降至正常工作范围. IC临界工作温度根据以下公式计算
3 TPS2216典型应用电路设计
TPS2216典型应用电路如图4所示,正常情况下有3组电源输入:12V, 5V,3.3V, 为克服噪声干扰,TPS2216对三种输入电源:12V采用1颗10uF钽质和1颗0.1uF陶瓷电容,5V采用1颗33uF钽质和1颗0.1uF陶瓷电容,3.3V采用1颗33uF钽质和1颗0.1uF陶瓷电容滤波,降低电源输入噪声。 TPS2216支持2组电源输出,建议在TPS2216组电源输出端(xVPP,xVCC)加1颗0.1uF的陶瓷电容以增强IC的抗静电(ESD)能力.
同时在布线的时候应注意尽量保持TPS2216与接口插槽的距离限制,避免因TPS2216内部数字开关工作频率过高,致使PCB走线上电压降过大,产生瞬间大电流,烧毁PC卡等设备.
![]() |
图4 TPS2216典型设计应用电路图 |
结束语
TPS2216极其适合各种配备PCMCIA/Cardbus的数字终端设备使用,高兼容性的接口规范,低电压消耗, 高转换精度等特点,给整体设计工作带来极大方便,有效降低成本,缩短开发周期。
参考文献:
[1] PC Card Power-Interface Switch TPS2216 ,Datasheet, Texas Instruments,1999
[2] PCI-to-Cardbus Bridges PCI122x Implementation Guide, Texas Instruments,1999
[3] Dual Slot PCMCIA/CardBus Power Controller MIC2563A,Datasheet,Micrel Co.,1999
[4] Single-Slot PC Card Power Interface Switch For Parallel PCMCIA Controllers TPS2211, Texas Instruments,1999
[5] TDS500/600/700 Series Digital Oscillograph Training Tutorial Tektronix CO., Ltd 2002
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上,移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术,解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题,为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
在全球DRAM市场格局加速重构的背景下,三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点,转而集中资源开发基于垂直通道晶体管(VCT)架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示,三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产,较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构,将存储单元面积缩减30%,并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题,被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
2025年4月28日,京东方科技集团股份有限公司(以下简称“京东方”)发布2025年第一季度财报,以多项核心经营指标的历史性突破,彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内,公司实现营业收入505.99亿元,同比增长10.27%,创下一季度收入新高;归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元,同比大幅增长64.06%,扣非净利润13.52亿元,同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地,以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。