EPLaR技术简介

【中心议题】

• *EPLaR工艺流程
• *EPLaR关键技术方案

【解决方案】

• *为了限制漏电流，通常采取双栅TFT的形式
• *欧姆接触层的制造采用了离子注入的方法

EPLaR最大限度地利用了现有成熟的LCD TFT阵列基板制造技术，除了开始时的聚酰亚胺薄膜涂覆和最后的激光剥离，中间所有的工艺都是刚性基板制造工艺。典型的EPLaR电子墨水显示器的制造工艺流程如表1所示。

电子墨水显示的TFT结构与LCD基本相同，但细节略有区别。电子墨水显示的响应速度慢，TFT需要开启更长的时间，所以其存储电容设计值很大，为了限制漏电流，通常采取双栅TFT的形式。

因为柔性基板在激光剥离之前是紧固结合在玻璃基板表面上的，所以柔性基板固有的因尺寸延展而导致的对位困难已不复存在，可以实现高分辨率显示。

作为欧洲“FlexiDis”柔性显示研究计划的一部分，采用EPLaR方法也开展了应用于OLED驱动的低温p-Si TFT的柔性基板制造研究。低温p-SiTFT制程中的最高温度达到了400℃，光刻工艺增加到6道，欧姆接触层的制造采用了离子注入的方法。制程中也包含两道激光工艺，一是准分子激光的a-Si薄膜晶化，这道激光工艺对柔性基板没有什么影响，因为激光能量都为a-Si薄膜所吸收且热影响很小；二是离子注入后注入离子的激光活化，此时大部分p-Si薄膜已经被去除，激光直接照射到聚酰亚胺薄膜上会造成损害。为此在TFT器件下面增加了一层激光吸收层，有效解决了这一问题。