发布时间：2011-02-14 阅读量：1757 来源: 发布人:
高功率LED散热一直是一个难题，困扰着LED技术人员，图1为目前高功率LED封装使用的结构， LED芯片会先封装在导热基板上，再打金线及封胶，这LED封装结构体具备轻巧，高热导及电路简单等优点，可应用在户外及室内照明。基板的选择中，氧化铝 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um；而硅是优良导热体，但绝缘性不良，必须在表面做绝缘处理。
图1 LED封装结构
氧化铝基板及硅基板目前皆已应用于高功率LED的封装，由于LED发光效率仍有待提升，热仍是使用LED灯具上必须解决的重要问题，因此LED导热功能必须仔细分析。要分析导热功能必须使用热阻仪来量测，以下的分析将细分LED封装体结构，包括芯片层，接合层及基板层，来分析每层热阻，分析工具则是目前世界公认最精确的T3Ster仪器。
本文将简单解析氧化铝基板及硅基LED板封装在热阻的表现 (T3Ster仪器实测)，其中专有名词定义如下：
Rth: 热阻，单位是 (oC/W)，公式为T / KA；
T: 导热基板的厚度 (um)；
K: 导热基板的导热系数 (W/mC)；
A: 导热面积 (mm x mm)。
图2 E公司氧化铝基板的LED封装热阻分析
将氧化铝应用在LED封装主要是因为氧化铝材料高绝缘性及可制作轻小的组件， 然而，氧化铝基板应用在电子组件，会因为氧化铝材料导热系数低(约20K/W)，造成高热阻。图2为T3Ster 热阻仪测试E公司氧化铝基板封装LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm)) 的结果，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：
1. Chip: 2 oC/W
2. Bonding layer : 3 oC/W
3. 氧化铝基板: 20 oC/W (高热阻, 基板制作不佳)
当175mA小电流通入在1 x 1 mm? 的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为10.5oC(=20x175mAx3.0V), 热不易传导出LED芯片；当350mA电流通入在1 x 1 mm2 的LED芯片上， 氧化铝基板因热阻的温升为23oC(=20 x 350mAx3.3 V)，此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会产生大量光衰; 而当500 mA大电流通入在1 x 1 mm? 的LED芯片上时，氧化铝基板因热阻的温升大约为36 oC(20 x (500 Ax3.6 V)，此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。因此，LED芯片封装若选择氧化铝基板，因其热阻高，封装组件只适合使用在低功率(~ 175 mA， 约0.5W)。
图3 R公司氧化铝基板的LED封装热阻分析
图3为T3Ster 热阻仪测试氧化铝基板封装LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm)) 的结果，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：
1. Chip : 2 oC/W
2. Bonding layer : 1.5 oC/W
3. 氧化铝基板 : 4.7 oC/W (氧化铝基板厚度: 400um, 铜层厚度75um)
当175mA小电流通入下，其基板因热阻温升为4.7 oC; 当电流来到 350mA，基板温升为6.9 oC，当500mA电流通入时，基板温升大约为8.1oC, 及当700mA大电流通入下，基板因热阻温升大约为11oC。
当氧化铝基板温升大于8 o C, 此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。 LED芯片封装在氧化铝基板，封装组件只适合始使用功率 (~ 350mA， 约 1watt)。
图4 VisEra硅基板LED封装热阻分析
应用以硅为导热基板的LED封装，如图4所示，在3.37 x3.37 mxm2 的小尺寸面积上，具有快速导热的性能， 可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备 (T3Ster)量测到的热阻值，在25 oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：
1. Chip: 1 oC/W
2. Bonding layer: 1.5 o C/W
3. Si substrate: 2.5 o C/W
当大电流 (700 mA) 通入在 1 x 1 mm? 的LED芯片上， 硅基板因热阻的温升为 6. 3 oC (=2.5 x 700mA x 3.6 V)，硅基板会快速将热传导出LED芯片，LED芯片只会有小量光衰。 硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片，LED芯片会只会有小许光衰。 因此，LED芯片封装在硅基板上适合于大功率使用( ~700 mA，约 3 W)。 因为硅基板制作及LED封装在硅基板, 技术难度非常高, 目前只有少许公司具备。硅作为LED集成封装基板材料的热阻低于氧化铝基板材料, 应用于大功率时, 硅基板为好的选择。
总体LED封装热阻经T3Ster实测结果比较如下：
LED Si 封装: VisEra : 5 o C/W
LED氧化铝，E公司 : 25 o C/W
LED 氧化铝封装，R公司 : 8.2 o C/W
2025年第一季度，华虹半导体（港股代码：01347）实现销售收入5.409亿美元，同比增长17.6%，环比微增0.3%，符合市场预期。这一增长得益于消费电子、工业控制及汽车电子领域需求的复苏，以及公司产能利用率的持续满载（102.7%）。然而，盈利能力显著下滑，母公司拥有人应占溢利仅为380万美元，同比锐减88.05%，环比虽扭亏为盈，但仍处于低位。毛利率为9.2%，同比提升2.8个百分点，但环比下降2.2个百分点，反映出成本压力与市场竞争的加剧。
2025年5月8日，瑞芯微电子正式宣布新一代AI视觉芯片RV1126B通过量产测试并开启批量供货。作为瑞芯微在边缘计算领域的重要布局，RV1126B凭借3T算力、定制化AI-ISP架构及硬件级安全体系，重新定义了AI视觉芯片的性能边界，推动智能终端从“感知”向“认知”跃迁。
2025财年第四季度，Arm营收同比增长34%至12.4亿美元，首次突破单季10亿美元大关，超出分析师预期。调整后净利润达5.84亿美元，同比增长55%，主要得益于Armv9架构芯片在智能手机和数据中心的渗透率提升，以及计算子系统（CSS）的强劲需求。全年营收首次突破40亿美元，其中专利费收入21.68亿美元，授权收入18.39亿美元，均刷新历史纪录。
2024年10月，英特尔正式发布Arrow Lake架构的酷睿Ultra 200系列处理器，标志着其在桌面计算领域迈入模块化设计的新阶段。作为首款全面采用Chiplet（芯粒）技术的桌面处理器，Arrow Lake不仅通过多工艺融合实现了性能与能效的优化，更以创新的混合核心布局和缓存架构重新定义了处理器的设计范式。本文将深入解析Arrow Lake的技术突破、性能表现及其对行业的影响。
2025年5月8日，思特威（股票代码：688213）正式发布专为AI眼镜设计的1200万像素CMOS图像传感器SC1200IOT。该产品基于SmartClarity®-3技术平台，集成SFCPixel®专利技术，以小型化封装、低功耗设计及卓越暗光性能，推动AI眼镜在轻量化与影像能力上的双重突破。公司发言人表示："AI眼镜的快速迭代正倒逼传感器技术升级，需在尺寸、功耗与画质间实现平衡，这正是SC1200IOT的核心价值所在。"
