突发！半导体巨头恩智浦宣布关闭晶圆厂！

我爱方案网12月15日消息，芯片巨头恩智浦正式宣布其在5G基础设施芯片领域的战略调整，关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO  Fab晶圆厂，并完全撤出采用氮化镓(GaN)技术的5G射频功率放大器(PA)芯片制造市场。这标志着恩智浦在其5G基础设施芯片业务中的一次重大转型。

ECHO  Fab于2020年9月投入运营，是恩智浦为抢占5G基站市场而专门建设的先进产线，采用6英寸氮化镓碳化硅(GaN-on-SiC)工艺，旨在为通信设备制造商提供高性能射频功率器件。然而，随着全球5G网络部署节奏明显放缓，实际基站建设规模远低于行业早期预期——根据内部估算，当前市场需求已较原先预测减少了超过40%，加之运营商投资趋于谨慎，导致相关芯片订单量持续低迷，难以维持高成本生产线的正常运作。

与此同时，恩智浦坚称，在这段过渡期内，他们将继续为客户生产GaN产品。该公司还强调，尽管关闭氮化镓工厂，但他们在美国钱德勒的工厂以及其他类型半导体的制造工厂将继续存在。

此次调整将直接影响约300名员工，目前公司尚未公布详细的人员安置方案。同时，爱立信、诺基亚等主要客户也将面临供应链重构的压力。此外，围绕ECHO  Fab形成的本地材料与设备供应生态亦可能受到波及。

资料显示，2020年9月底，恩智浦正式宣布在美国亚利桑那州开设了一家工厂，将使用6英寸SiC衬底生产射频氮化镓晶圆和芯片。

恩智浦半导体执行副总裁兼总经理保罗·哈特当时在接受采访时透露，恩智浦新的氮化镓晶圆厂预计将于2020年底达到满负荷产能，恩智浦在过去三年中（2018-2020年）投资了约1亿美元（超7亿人民币），该项目是对现有厂址的改造。

据了解，大约10年前，恩智浦以118亿美元收购了飞思卡尔（Freescale），从而获得了飞思卡尔的钱德勒工厂。

恩智浦氮化镓工厂启用之时，5G技术正处于蓬勃发展的时期。恩智浦当时将氮化镓视为功率密度和效率方面的新“黄金标准”，其晶圆厂采用碳化硅衬底生产氮化镓pHEMTS器件，而且是非常先进的6英寸工艺节点，而当时大多数GaN on SiC的生产都在4英寸产线进行。

据外媒报道，恩智浦当时建设氮化镓晶圆厂非常乐观看待5G通信市场需求。不过，与中国相比，其他国家的5G通信基站建设在连续性、规模化和政策执行力上存在明显差距，导致射频氮化镓企业订单增长乏力。

恩智浦在声明文件中透露，“近年来，由于移动运营商投资回报率低，5G部署速度放缓，全球5G基站部署量远低于最初预期，鉴于市场现状且复苏前景黯淡，射频业务已不再符合公司的长期战略方向。因此，恩智浦决定逐步缩减射频功率产品线。”