发布时间：2011-09-18 阅读量：1098 来源: 我爱方案网 作者:
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一张被曝光的资料图片中显示，下一代iPad厚度仅有0.29英寸（约7.3mm），比iPad 2（8.8mm）还要薄一些；而此前传闻的下代iPad将采用Retina屏幕，也在图片中被证实；机身背面配有500万像素摄像头及LED闪光灯，支持全高清1080P拍摄，同样新iPad前置了一颗高清摄像头，具体参数未知；按键方面，Home键依然存在，其他按键的位置和iPad 2几乎相同。接口方面，我们从图片中看到和前代产品相比没有变化。
此前，有媒体报道称下一代iPad将于今年第四季度发布，屏幕分辨率将达到2560x1920，采用速度更快的A6处理器。
高分屏附身
此前来自台湾上游供应链的消息称，苹果取消了2011年下半年的iPad 3供应计划。不过近日最新的消息称，苹果拟从10月份起试生产iPad 3，以在平板电脑市场的竞争中保持领先优势。来自苹果供应链内部人士透露称，苹果目前已经订购了最终版iPad 3的关键部件，其中包括了显示器面板及芯片等。同时他还表示，iPad 3的显示屏依然为9.7寸，但分辨率将是iPad 2的一倍之多，即之前众多传闻所称的2048×1536像素。
此外，前不久有消息人士透露称，iPad 3高分辨率面板主要是日本夏普供应的，而这种触摸屏的价格和良品率都影响iPad 3供应计划，所以苹果将向夏普位于日本龟山的工厂投资10亿美元新建厂房，为iPhone和iPad提供液晶屏。
目前不少分析师认为，苹果 iPad 3平板正式上市的时间应该会在2012年初，而非此前外界普遍传言的今年圣诞之前。
A6处理器：专属iPad 3的3D堆叠技术
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至于下代iPad的确切名称，在发布之前永远是个谜。iPad 3?iPad 2 HD?iPad Plus?一切都是外界猜测而已。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利（编号：US 11,985,623 B2），揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"（Securement Arms）创新结构，解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸，采用自适应力学分配系统，将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域，有效降低鼻托70%以上压力负荷。
日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作，索尼将为西部数据下一代HAMR（热辅助磁记录）硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求，此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元（约合3200万美元）在泰国工厂新建生产线，预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。
