发布时间:2011-10-24 阅读量:1516 来源: 我爱方案网 作者:
2、MEMS传感器压差—流量模型
如图2所示,流体在异径管内外被分为流道1和流道2,在这里,r0为管路半径,a、b分别为内流道入口和出口处半径,忽略异径管厚度,因此a、b也是外流 道的进出口处内径,假设从截面A-A*到截面B-B*流线不发生增加或者减少,即任何A-A*面上一微元ds都可以沿着流线找到在B-B*面上的映射 ds*,则在流道1内任一流线上有:
式中:p0为截面A-A*处的压强;p1,p2分别为截面B-B*处内、外的压强;v1,v1’,v2,v2’分别为两流线进出位置的流速;wf1、 wf2分别为两流线上的粘性损耗。
根据纳维尔—斯托克斯(N-S)方程可以推导出流量与压差关系模型为:
其中:φ为无量纲系数,它与扩散角θ有关;当θ角较小且过渡圆滑时,ζ为0.005-0.05。
通过上式可以通过压差来计算流量,为了平衡扩张和压缩作用以及尽量减少能量损失,当θ=7°,φ=0.13,ζ=0.02,且流量Q为 61.1L/min,即在该管径下流速为1m/s时,对异径管尺寸进行优化 为:a=0.4r0,b=0.8r0,a=2.9264,b=3.1109,α+β=6.0373,α/β=0.9407
将上述优化解代入液压实例中,管径r0=18mm,油液密度ρ=870kg/m3,则对应:
该压差值范围附近易于应用MEMS差压传感器进行测量,图3为在该结构参数传感装置在流速为1m/s条件下的流场仿真情况,可以看到异径管锥形部分内外流 道的压力变化,外流道内的压力逐渐降低,内流道内的压力逐渐升高,在异径管后续直管段内外压力稳定,形成一定压力差。
3、MEMS传感器的静态标定
3.1 MEMS芯体标定
在进行实验研究时,选取了一种压阻式MEMS微型压差敏感芯体,在组装传感器之前,采用了FLUKE 718 10G型压力校准仪(Pressure Calibrator)对芯体进行标定。FLUKE 718 10G型压力校准仪通过其自带的一个主气泵和一个微调气泵可以输出稳定的-12~30psi(-83~207KPa)气压,精度达到±0.05%满量程。 实验所用的MEMS芯体额定工作压力量程为6KPa(安全工作压力十倍于满量程),在10.00+/-0.01V激励电压下,用FLUKE压力校准仪标定 结果如下:
由图可以看出,在额定工作压力量程范围内,芯体所受的压差与输出信号呈良好的线性关系,传感器输出信号随压力上升和下降过程中线性重合度非常好。多次标定 结果显示传感器有良好的重复性,这为以后实验数据的可靠性提供了有力保障,同时也说明所选压阻式MEMS微型压差敏感芯体的性能满足实验要求。
图5中靠下面的那一条线为变频器频率上升过程中流量传感器输出曲线,上面一条为频率下降过程中的新型流量传感器输出曲线。从图中可以看出两条曲线的线性度 较好,差别较小,即说明新型MEMS传感器线性度较好,迟滞较小。同时还可以得到整个曲线的拟合直线以及公式,如图6所示。
由图中的趋势线公式:y=0.6331x+0.0078 (5)
式中:x为涡轮流量计流量;y为MEMS传感器输出电压。
可知,MEMS传感器输出电压信号与液压系统中流量呈线性关系,图中R2表示该函数与散点图的拟合程度,R2越接近1,则拟合程度越高。此时可以确定 MEMS传感器标度转换系数为:a=0.6331;b=0.0078。这也为今后进一步开发新型MEMS传感器的可视流量表头提供了理论依据。
当变频器频率调至80Hz时,电机转速为1596r/min,柱塞的转动频率为186.2Hz,脉动总周期为37.6ms。调整新型MEMS传感器高通 滤波截止频率为180Hz,低通滤波器截止频率为200Hz,组合成为一个带通滤波器,观察新型MEMS传感器时域图,如图8。从图中可以看到在 37.6ms中包含了7个脉动,而用于试验动力源的轴向柱塞泵恰为7个柱塞,这说明新型MEMS传感器能够响应200Hz的频率。
通过上述试验可以说明,尽管没有标准高频流量仪表来标定,不能很准确地读出动态流量测量的精度,但是此时流量信号平均值与标定后静态流量值是一致的,说明 结果是正确的,并且从整个试验过程来看,新型流量传感器所能检测到的流量脉动的最高频率已经超过200Hz,具有较高的频响,这是孔板、涡轮、椭圆齿轮流 量计远远不能达到的。
5、结 论
(1)对新型MEMS流量传感器的结构和理论压差—流量模型进行了介绍,从理论模型可知,对于某一半径的管路,当液压油密度为定值时,流量与压力差之间的 对应关系取决与a和b的值,也就是异径结构的尺寸参数,而与系统的静压力无关。α为流道1内的扩压作用,β为流道2内的压缩作用,因此该式可以用来计算管 内的流量。
(2)对新型MEMS传感器的结构进行了优化,通过仿真发现,异径管内部进口处有明显的压力突变,导致了异径管内部压力反而比外部压力小,这是由于理论分 析时忽视了异径管进口处压损造成的。但是在异径管后续直管段内外压力稳定,形成一定压力差,这与理论分析是一致的。
(3)对MEMS芯体和流量传感器进行了静态标定,线性度良好。所选压阻式MEMS微型压差敏感芯体的性能满足实验要求。确定了MEMS传感器标度转换系 数,为今后进一步开发新型MEMS传感器的可视流量表头提供了理论依据。
(4)针对MEMS传感器进行了动态试验,发现新型MEMS传感器具有低扰动、高频率响应等特点,适合用于液压系统的动态测量。
2025年5月14日,全球半导体分销巨头大联大控股在深圳成功举办以「新质工业·引领未来」为主题的峰会,汇聚英飞凌、意法半导体、瑞芯微等16家顶尖原厂及逾500名行业精英。面对全球制造业智能化、低碳化转型浪潮,此次峰会聚焦人工智能、边缘计算、电力电子等新质生产力的技术融合,通过主论坛、分论坛及技术展区三大板块,全方位展示从芯片设计到系统集成的全产业链创新方案。中国工业增加值连续三年稳步增长(2023年4.6%、2024年5.7%、2025年一季度6.5%),印证了“新质工业时代”的全面开启。大联大中国区总裁沈维中在开幕致辞中强调,中国制造业正以技术韧性重构全球供应链,而半导体技术的全链路赋能将成为驱动产业升级的核心引擎。
根据金升阳官方技术白皮书数据显示,其最新发布的LM-R2S系列机壳开关电源通过8项核心技术创新,实现了工业供电设备在功率密度、环境耐受性及能效表现的三维突破。作为LM-R2系列的迭代产品,该系列解决了传统工业电源在设备小型化与复杂工况适配性之间的矛盾,为智能制造升级提供了高可靠性的供电保障。
2025年第一季度,全球存储器市场迎来关键转折点。DRAM与NAND Flash现货价自2月止跌回升,带动行业库存去化加速,需求端逐步回温。威刚科技董事长陈立白指出,存储器原厂自2024年末起减产调控供给,叠加AI服务器、智能终端等新兴应用需求增长,推动市场价格走出低谷。根据TrendForce数据,尽管此前预测Q1合约价可能下跌,但实际现货市场受备货动能及库存策略影响,价格反弹超预期,成为威刚业绩增长的直接推力。
MediaTek于5月14日正式推出天玑9400e旗舰移动平台。作为天玑系列的全新力作,该芯片凭借全大核架构设计、第三代4nm制程工艺及多项创新技术,在计算性能、能效管理和AI应用领域实现突破性进展,为智能手机用户提供更卓越的游戏、影像与通信体验。
根据韩国产业通商资源部5月14日发布的《2025年4月ICT进出口趋势》报告,韩国4月信息通信技术(ICT)出口额达189.2亿美元,同比增长10.8%,创下有记录以来4月份的最高值。同期贸易顺差为76.1亿美元,主要得益于半导体等高附加值产品的强劲表现。然而,对华、对美两大核心市场的出口增速显著放缓,反映出全球贸易政策不确定性的深远影响。