MCU步入40nm工艺时代，与应用处理器的混载产品亮相

发布时间：2012-05-7 阅读量：796 来源: 发布人:

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* MCU步入40nm工艺时代，与应用处理器的混载产品亮相

近来，采用40nm工艺技术制造的MCU纷纷亮相。瑞萨电子2月底发布了车载用途32bit MCU“RH850”系列，因采用40nm技术实现了低功耗化。飞思卡尔半导体于3月底发布了混载有MCU用内核“Cortex-M4”与应用处理器用内核“Cortex-A5”的“Vybrid”系列，通过微细化至40nm工艺而提高了集成度。继瑞萨电子于2011年12月宣布开发出了40nm的MCU用内置闪存技术，现今MCU步入40nm工艺时代……

瑞萨的RH850系列配备以原NEC电子的“V850”内核为基础的“RH850”内核。瑞萨新开发出了可混载MONOS构造闪存的40nm工艺制造技术，将在那珂工厂制造。为了实现多源化，还将委托其他公司制造。CPU部分的工作频率为64M～320MHz，闪存的容量为256K～8MB。可分为指令集虽相同但微架构不同的（1）高速运算用内核，（2）功能安全用内核和（3）输入输出处理用内核三个不同用途的品种。

将实时处理与应用处理集成在一枚芯片上
飞思卡尔发布的“Vybrid”系列配备实时处理用“Cortex-M4”和应用处理用“Cortex-A5”两个CPU内核。备有进可行处理器间通信和调解的机构，以及12bit的A-D/D-A转换器。

合并了MCU与应用处理器功能的飞思卡尔的Vybrid，是该公司MCU产品中的首款40nm产品。可将采用实时OS进行实时控制的系统，和采用Linux等通用OS进行HMI和通信处理的系统集成在一枚芯片上。还备有采用共享存储器的处理器间通信机构。MCU用外围电路备有12bit的A-D转换器以及D-A转换器。由于应用处理部分需要外置的闪存，因此没有混载MCU用闪存。

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