发布时间：2012-10-30 阅读量：640 来源: 我爱方案网 作者:
科锐第三代照明级XLamp LED所采用的科锐创新性SC³技术平台（即第三代碳化硅技术），是科锐取得这一研发成果的核心关键。创新性SC³技术平台采用科锐业界领先的碳化硅（SiC）技术，在LED芯片结构及荧光转换上表现出卓越的特性，并采用与之匹配的最新封装技术，从而为业界提供最先进的LED器件。
科锐研发报告显示，在标准室温、350 mA驱动电流、相关色温4,408K条件下，实测得到LED光效为254 lm/W。
科锐联合创始人之一、先进光电事业部总监John Edmond表示：“科锐实验室的这一创新性突破再度树立起整个LED产业发展的里程碑。科锐研发理念的核心就是创新！科锐将通过坚持不懈的创新来推动LED照明的最终普及。高性能的LED不仅可以帮助实现更佳创意和更好效果的LED照明应用，同时还能够大幅度及有效地降低LED设计与整体解决方案的成本。”
据The Verge等多家权威媒体报道，英伟达（NVIDIA）正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器，预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构，首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发，目标直指高性能游戏本市场。
纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
据TrendForce集邦咨询统计，2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元，较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动：一是标准型DRAM合约价持续走低，二是高带宽内存（HBM）出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期，三大原厂制程升级导致产能结构性调整，为二线厂商创造了新的市场机遇。
