发布时间:2013-01-10 阅读量:693 来源: 我爱方案网 作者:
成功升级Dual Cool封装技术
中压系列产品包括:40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。这些器件属于同步整流MOSFET,适用于DC-DC转换器、通信电源次级端整流和高端服务器/工作站应用。
特色及优势:
FDMS8320LDC (40V)
·最大RDS(ON) = 1.1mΩ(当VGS = 10V,ID = 44A时);
·最大RDS(ON) = 1.5mΩ(当VGS = 4.5V,ID = 37A时)。
FDMS86500DC (60V)
·最大RDS(ON) = 2.3mΩ(当VGS = 10V,ID = 29A时);
·最大RDS(ON) = 3.3mΩ(当VGS = 8V,ID = 24A时)。
FDMS86300DC (80V)
·最大RDS(ON) = 3.1mΩ(当VGS = 10V,ID = 24A时);
·最大RDS(ON) = 4.0mΩ(当VGS = 8V,ID = 21A时);
·具有业内最低的RDS(ON),在额定电压相同的条件下,与竞争对手的解决方案相比该数值低35%左右。
FDMS86101DC (100V)
最大RDS(ON) = 7.5mΩ(当VGS = 10V,ID = 14.5A时) 最大RDS(ON) = 12mΩ(当VGS = 6V,ID = 11.5A时)。
在全球半导体产业加速迭代的背景下,三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM(1c DRAM)的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报,这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作,预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元,更将直接影响下一代高带宽存储器(HBM4)的市场格局。
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2025年5月23日,全球领先的半导体与电子元器件代理商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布,正式开售Raspberry Pi新一代RP2350微控制器。作为RP2040的迭代升级产品,RP2350凭借双核异构架构(Arm Cortex-M33 + RISC-V)、硬件级安全防护及工业级性价比,重新定义了中高端嵌入式开发场景的技术边界。该芯片通过多架构动态切换、可编程I/O扩展及4MB片上存储等创新设计,解决了传统微控制器在实时响应能力、跨生态兼容性与安全成本矛盾上的核心痛点,为工业自动化、消费电子及边缘AI设备提供了更具竞争力的底层硬件方案。