美高森美新一代工业温度碳化硅标准功率模块

发布时间:2013-01-25 阅读量:802 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】与硅材料相比,SiC技术提供了更高的击穿场强度和更好的热传导率,从而实现了参数性能特性改进,包括零反向恢复、不受温度影响的特性、更高的工作电压和更高的工作温度,以实现全新的性能、效率和可靠性水平。

美高森美公司宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide,SiC)标准功率模块,它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。该功率模块系列还提供了更宽的温度范围,以期满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求。
    
美高森美功率模块产品集团总经理Philippe Dupin称:“我们应用在功率半导体集成和封装领域的广泛的专业技术,提供下一代碳化硅功率模块系列,这些器件具有出色的性能、可靠性和综合质量水平。我们的新模块还使得设计人员能够缩减系统尺寸和重量,同时降低总体系统成本。”

关于新的SiC模块

美高森美新的工业温度SiC功率模块具有多种电路拓扑,并且集成在较小的封装内。新模块产品系列中的大多数产品使用氮化铝(aluminum nitride,AIN)衬底,来实现与散热器的隔离,从而改善了至散热系统的热传递。
    
其它特性包括高速开关、低开关损耗、低输入电容、低驱动要求、小尺寸和最小寄生电感,能够实现高频率、高性能、高密度和节能的电力系统。
    
新工业温度模块系列包括以下参数和器件:

1200V升压斩波电路(boost chopper),额定电流为50至100A

1200V相臂 (phase leg) 结构,额定电流为40至200A

600V中性点箝位结构,专用于太阳能或UPS应用的三级逆变器,额定电流为20至160A

中性点箝位结构,600V/1200V混合电压,额定电流为20至50A

美高森美的SiC产品组合包括分立和模块封装的肖特基二极管,以及标准和定制配置的采用SiC肖特基二极管和IGBT或MOSFET晶体管组合的功率模块。

相关资讯
多名高管获刑!国产存储造假案细节曝光!

紫晶存储犯欺诈发行证券罪,判处罚金人民币3700万元;公司实际控制人郑穆、罗铁威及原财务总监李燕霞等10名核心管理人员,全部被判处有期徒刑,刑期最高达七年六个月。

日产与Wayve达成AI驾驶辅助合作!计划2027财年在日本首发

近日,日产汽车和总部位于英国的自动驾驶初创公司Wayve签署协议,合作开发基于人工智能的驾驶辅助系统。

京东重金布局存算一体AI芯片,“40K-100K×20薪”高调招募存算一体AI芯片人才!

京东开启招聘存算一体芯片设计工程师计划,薪酬高达“40K-100K*20薪”

铠侠2026年量产第十代NAND闪存,332层堆叠助力AI数据中心存储升级!

日本芯片制造商铠侠(Kioxia)计划于2026年在其岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

英特尔、AMD、德州仪器遭指控!被指对芯片流入俄罗斯存在“故意漠视”

一系列诉讼指控芯片制造商英特尔、AMD及德州仪器公司,未能有效阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。