发布时间：2013-03-12 阅读量：680 来源: 我爱方案网 作者:
美国加州纳米技术研究院(简称CNSI)成功使用MoS2(辉钼，二硫化钼)制造出了辉钼基柔性微处理芯片，这个MoS2为基础的微芯片只有同等矽基芯片的20%大小，功耗极低，辉钼制成的晶体管在待机情况下的功耗为矽晶体管的十万分之一，而且比同等尺寸的石墨烯电路更加廉价！而最大的变化是其电路有很强的柔性，极薄，可以附着在人体皮肤之上。
2011年瑞士联邦理工学院洛桑分校(EPFL)科学家制造出全球第一个辉钼矿微晶片(上面有更小且更节能的电晶体)辉钼是未来取代矽基芯片强力竞争者！领导研究的安德拉斯．基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景秀，而这次美国加州纳米技术研究院制成的辉钼基柔性微处理芯片未来前景将更加广泛。
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同矽和石墨烯相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而矽是一种三维材料。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的矽薄膜上一样容易，辉钼矿是可以被加工到只有3 个原子厚的！
辉钼所具有的机械特性也使得它受到关注，有可能成为一种用于弹性电子装置(例如最近出现在弹性薄层晶片设计中的那种)中的材料。 可以用在制造可卷曲的电脑或是能够贴在皮肤上的装置。甚至可以植入人体。
英国《自然．纳米技术》杂志就指出：单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的矽和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
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全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
