台积电最新的低漏电流工艺技术

发布时间:2013-05-26 阅读量:872 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】EFME32 Gecko技术与台积电的超低漏电流工艺技术相结合确保MCU在整个温度范围内运行稳定。

挪威,奥斯陆,05/15/2013-节能微控器和无线射频供应商Energy Micro宣布其一直与台积电紧密合作来验证台积电的eLL(超低漏电流工艺)技术给其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器带来的好处。和台积电的密切配合,使Energy Micro可以很早接触这一最新的工业技术,从而进一步增强其MCU产品性能。

台积电的eLL超低漏电流工艺是其嵌入式闪存(EmbFlash)技术最新的改良版,相比之前的解决方案,该工艺带来更低的功耗-待机电流降低50-70%,运行电流降低30%。

Energy Micro的全球销售副总裁Andreas Koller说:“EFM32 MCU产品的低功耗性能使其从竞争产品中脱颖而出。过渡到带浮点单元的ARM Cortex-M4 这一32位的DSP CPU 内核是很自然的举动,同时我们的低功耗Gecko技术也受益于台积电有着最好低功耗性能的最新工艺。”

台积电欧洲总裁Maria Marced说:“Energy Micro的低功耗MCU产品有着出色的低功耗特性和产品性能。Gecko技术与台积电的超低漏电流嵌入式闪存处理工艺的结合,使得Energy Micro的产品的功耗显著降低,从而进一步增强Energy Micro的竞争地位。”

相关资讯
三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

苹果获智能眼镜模块化专利 液态玻璃技术革新可穿戴设备未来

美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利(编号:US 11,985,623 B2),揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"(Securement Arms)创新结构,解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸,采用自适应力学分配系统,将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域,有效降低鼻托70%以上压力负荷。

激光二极管驱动存储革命:索尼半导体与西部数据联手拓展HAMR硬盘市场

日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作,索尼将为西部数据下一代HAMR(热辅助磁记录)硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求,此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元(约合3200万美元)在泰国工厂新建生产线,预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。

TP-Link芯片业务战略收缩:WiFi 7研发受阻与全球合规挑战

2025年6月12日,TP-Link外销主体联洲国际(TP-Link Systems)位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员,从通知到离职手续仅用半天完成,涉及算法、验证、设计等核心岗位员工,仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案,远高于中国法定的N+1标准,被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出,此次调整主要针对WiFi前端模块(FEM) 研发线,而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件,其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。

DDR4内存现十年罕见价格倒挂,产业链急备货应对停产危机

2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。