K3V2+四核处理器华为P6S曝光:改进不大

发布时间:2013-11-19 阅读量:832 来源: 发布人:

【导读】最近关于华为新机P6S的信息确实不少,今天在工信部网站曝光了它的完整规格,从公布的华为P6S的真机照片来看,如果不仔细辨别的话,确实很难发现该机与过去的华为P6在外形上有多大的区别。配置方面,也只是小幅升级为海思K3V2 Pro处理器,摄像头依旧是800万像素。

从工信部提供的信息来看,P6S的机身尺寸为132.6×65.5×6.48mm,重120g,和P6完全一致。由于机身体积相同,所以就不要指望屏幕方面有什么提升了,其屏幕依然还是那块4.7英寸720p的IPS屏幕,从此前的测试来看色彩表现尚可。

该机最大的提升应该就是换装了采用28nm制造工艺的K3V2+处理器,依然是四核心Cortex-A9架构,主频升级至1.6GHz。GPU也更换为兼容性更好的的Mali-450,虽然理论性能不一定比得过此前的GC4000,但由于兼容性更好,所以游戏方面的表现自然会更强一些。

相对于性能的提升来说,最令人期待的还是28nm制造工艺所带来的低功耗和低发热,在同等电池容量下,K3V2+的P6S无论是发热量还是续航时间相对P6来说应该都会有一定的提升。

其它规格方面,2GB内存、800万像素摄像头以及Android 4.2.2操作系统相对P6来说都没有什么明显的提升,可能细节方面会有所改善,但这要等待华为给我们揭晓了。

相对来说P6S整体方面的改进并不大,有些让人失望。


 

 




相关资讯
Nexperia发布1V保护二极管矩阵,破解高速接口ESD防护设计瓶颈

在USB4®和Thunderbolt™接口传输速率突破10GHz的产业背景下,静电放电(ESD)和意外短路引发的系统失效已成为消费电子与通信设备的核心痛点。传统保护方案在射频性能与防护强度间的取舍矛盾,特别是不合规Type-C接口中Vbus与TX/RX短路风险,迫使行业寻求突破性解决方案。Nexperia最新推出的五款1V保护二极管,通过创新架构实现鱼与熊掌兼得的技术跨越。

璞璘科技突破纳米压印技术瓶颈 国产高端半导体设备实现交付

2025年8月1日,璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式通过验收并交付国内特色工艺客户。该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术,标志着我国在高端半导体装备领域取得实质性突破。

台积电强化技术安全机制,2nm制程研发涉潜在风险事件引关注

全球晶圆代工龙头企业台积电在推进2nm先进制程量产的关键阶段,于内部安全审查中发现异常活动。公司声明显示,其监控系统侦测到未经授权的技术信息访问行为,已对涉事人员解除雇佣关系,并启动法律程序追责。

Onsemi发布2025 Q2财报:稳健业绩驱动半导体复苏​

在2025年8月4日,全球领先的半导体解决方案供应商Onsemi正式发布了其2025年第二季度财务报告。本季度,公司展现了稳健的经营表现,反映其在功率半导体领域的战略优势。随着汽车电子化和人工智能应用的加速渗透,Onsemi通过持续优化业务模式,在充满变化的市场环境中取得可喜进展。

全球智能手机单季收入首破千亿 高端战略驱动价量增长分化

据Counterpoint Research近期发布的报告,2025年第二季度,全球智能手机市场呈现显著收入增长,总收入达1000亿美元以上,同比提升10%。这一数据创下了自统计以来第二季度的收入新高峰。尽管出货量仅同比增长3%,不足总量的显著跃升,但市场动能源于平均售价(ASP)的大幅上涨。报告显示,本季度ASP同比增长7%,达到约350美元的历史高位,反映出消费者对高端设备的强劲需求推动了整体盈利能力提升。这种收入与出货量的差异化增长,突显了市场结构正加速向高端化转变。