发布时间:2014-01-28 阅读量:744 来源: 我爱方案网 作者:
2014年1月28日 —创新电源管理与精密模拟解决方案的领先供应商Intersil公司今天宣布,推出业内准确度最高、功耗最低和体积最小的红、绿、蓝 (RGB)传感器--- ISL29125,用来优化移动设备和电视在所有光照环境中的显示分辨率和颜色质量。ISL29125 RGB传感器直接与设备的核心处理器连接,可根据不断变化的光照条件自动调整显示亮度,向消费者提供始终清晰且颜色一致的完美观看体验,同时延长电池续航时间。紧凑型ISL29125还是业内最小的6引线RGB传感器,最大限度地减少了光学传感器孔的尺寸要求,进而降低了工业设计的难度。
不同环境的光照条件往往会影响电子设备显示器的观看体验,有时甚至难以阅读和使用。凭借集成、强大的片上IR滤波技术和业界领先的角度响应性能(50%光强条件下为+/- 35%视野 [最小值]),ISL29125 RGB传感器将这些外在因素的不利影响最大限度的降到最低,无论是在用白炽灯照明的教室、用LED灯照明的商店还是阳光下的户外环境中。
ISL29125直接与设备的核心处理器连接,根据当时的光亮度(Lux)来连续调整背光亮度以达到舒适的显示效果。当ISL29125在电视显示器中应用时,它能够确保在室内照明条件发生变化时有效地调整显示器的亮度和颜色,以达到观看体验的一致性。再者,在有机发光二极管 (OLED) 显示器电视应用中,ISL29125还可以调整蓝光有机材料老化曲线,从而使显示器在其整个寿命期间保持一致的显示对比度和亮度。
“消费者需要更好的移动手持设备的用户体验,无论是在家中、办公室里还是其他地方”,Intersil公司光学产品营销与应用总监Sandeep Aji表示,“Intersil的新型数字式光传感器解决方案采用业内领先技术,使移动设备用户对设备的显示体验能够维持最理想状态,特别是当变换外部环境时。该解决方案再次证明了Intersil利用自身先进技术将完美的显示质量和更长的电池工作时间相结合”
ISL29125是市场上功耗最低的RGB传感器,带一个I2C接口,工作电压范围为2.25V - 3.63V。ISL29125还提供0.005Lux– 10KLux的宽动态检测范围,来支持从低光照环境移动到高光照环境时进行显示器亮度调整,以防止不必要的功耗而延长电池续航时间。RGB传感器的独特照度范围选择特性使设计工程师能够根据设备的要求对照度范围进行编程,以便优化每勒克斯计数值 (counts/lux)。该RGB传感器静态电流小于0.5uA,工作时电流 (active mode) 约为85uA。
除一流的性能之外,新型ISL29125传感器还是业内最小的6引线RGB传感器,这极大的改善了工业设计即允许开一个较小的空来让环境光进入,还有,ISL29125 RGB传感器能够在测量灯色温时有效地过滤机壳颜色带来的影响,使制造商能够提供各种颜色的机壳以满足消费者的需要。
ISL29125 RGB传感器还非常适用于对色温测量有极高要求的应用领域,例如工业彩色打印机、恒温器显示器和水质测试设备。
特性与规格
•适合所有光源(包括太阳光)条件下工作
•提供业内最佳的角度响应性能:+/- 35%(最小值)
•业内最小的6引线数字光传感器:1.65 mm x 1.65 mm x 0.75 mm
•工作电压范围为2.25V - 3.63V
•静态电流小于0.5uA
•内部集成具有固定转换时间(每种颜色100毫秒)的16位模数转换器,将RGB信息转变为与RGB强度成•比例的数字式可用的ADC计数
•各个产品的 (Part-to-part) RGB输出变化率小于+/-10%
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。