Tektronix提供扩展的MIPI M-PHY接收器测试解决方案

发布时间:2014-01-28 阅读量:705 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】Tektronix日前宣布扩展其业界领先的M-PHY接收器测试解决方案的功能,最新的M-PHY接收器测试产品包括适用于HS Gear 2和Gear3、PWM模式、自动校准和边际测试的完全支援。高速装置的边际测试可让设计人员能验证装置,并对装置执行压力测试,激发其最大的潜能,进而产生有竞争力的技术规格。

全球测试、量测和监控领导供应商Tektronix 日前宣布,扩展其业界领先的M-PHY接收器测试解决方案的功能。附加的功能包括高速Gear 2和Gear3的实体层接收器测试、PWM模式 (G0-G7) 的支援、自动校准和边际测试。以M-PHY实体层为基础而开发下一代行动装置的工程师现在可使用此解决方案来解决设计挑战,并能轻松执行自动化相容性、产品验证和边际测试等程序,来克服讯号完整性问题。

HS Gear 2和Gear3与PWM模式 (G0-G7) 的支援使设计人员能灵活地以完整范围的资料传输速率来执行测试,全面深入了解其设计。高速装置的自动校准支援功能降低了安装的复杂性,可有效节省时间,并让使用者能更快速地测试装置。高速装置的边际测试可让设计人员能验证装置,并对装置执行压力测试,激发其最大的潜能,进而产生有竞争力的技术规格。

Tektronix高效能示波器总经理Brian Reich表示:“Tektronix的M-PHY接收器测试解决方案为设计人员提供了在产品开发阶段早期找出设计和特性问题所需要的深入资讯。此解决方案结合了Tektronix示波器的量测精确度,可让设计人员对其装置的理论极限执行压力测试、在自动化的环境中更快速地测试产品,并有效缩短产品上市的时间。”

Tektronix 简化了复杂的M-PHY测试

MIPI联盟的M-PHY规格提供了一个低功耗、低成本的PHY解决方案,此方案具有可扩展性和足够的灵活性,能满足现有和未来的行动和消费电子装置市场。藉由其多变的装置、终端、振幅和高速串列资料传输速率等特性,M-PHY提出了一些在接收器和发射器两端需要专用测试解决方案的测试挑战。

Tektronix M-PHYTX/M-PHYRX自动化软体与Tektronix DPO/MSO70000系列示波器搭配使用时,可涵盖完整范围的M-PHY发射器和接收器测试要求,并为广泛的通讯协定解码提供支援。在发射器端,测试设定和执行是完全自动化的程序,仅需要一台仪器即可完成。针对M-PHY接收器测试,将仅需要高效能示波器和AWG7000系列任意波形产生器等仪器。TekExpress自动软体则为设定和测试程序提供了便利的使用者介面和直观的工作流程。

供货

Tektronix MIPI M-PHY发射器与接收器测试解决方案,以及扩展的接收器测试支援服务现已提供。

Tektronix简介

六十多年来,工程师使用Tektronix的测试、量测与监控解决方案,以解决设计挑战,提高生产力和大幅缩短产品上市时间。Tektronix是一家领先的测试仪器供应商,为专注于电子设计、制造及先进技术开发的工程师提供支援。

相关资讯
汇聚产业全景,引领智造未来:AIoT全产业链精英深度碰撞

2025年6月20日,IOTE 2025·上海站在上海新国际博览中心N5馆圆满收官! 在万物智联的时代洪流中,物联网技术正以前所未见的速度重塑世界,驱动千行百业向智能化、数字化加速跃迁。本届展会以“生态智能,物联全球”为核心主题,携手全球移动通信标杆盛会MWC上海,不仅呈现了一场前沿技术的饕餮盛宴,更是物联网与移动通信深度融合、共绘发展新图景的生动实践,为全球AIoT产业的蓬勃脉动注入强劲活力与动能。

高抗扰驱动器选型指南:SGM58000 集成方案挑战 ST/安森美驱动器性能极限

在工业自动化、新能源汽车、高效电源等应用领域日益追求高功率密度与高可靠性的今天,高性能的栅极驱动器扮演着至关重要的角色。它们作为功率开关器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)与控制信号之间的关键"桥梁",其性能直接决定了系统效率、开关速度、电磁兼容性(EMC)以及整体可靠性。本文将聚焦行业备受关注的意法半导体新一代集成化方案(STDRIVE102H/BH)、圣邦微电子的三相驱动器(SGM58000)以及安森美的双通道高端驱动(NCD57252),进行深度对比分析,揭示各自优势及适用场景,为工程师选型决策提供专业参考。

突破0.5mg漂移极限!村田发布工业级三轴MEMS加速度计

工业数字化转型加速推动预测性维护需求增长,尤其桥梁、大型建筑等基础设施的结构健康监测(SHM)领域。传统高精度加速度传感器长期面临偏移漂移大、环境适应性弱等痛点。村田制作所最新推出的SCA3400系列数字三轴MEMS加速度传感器,以≤0.5mg的偏移寿命漂移值突破行业极限,为工业设备状态监测树立新标杆。

先进制程角逐2026:3nm/2nm将占旗舰手机芯片三成市场

全球智能手机芯片领域正迎来新一轮工艺迭代浪潮。知名研究机构Counterpoint Research最新报告指出,3nm及更先进的2nm制程技术将在2026年占据智能手机应用处理器(SoC)出货总量的近三分之一(约33%),成为驱动高端设备性能跃升的核心引擎。这一演变标志着半导体制造技术对移动终端能力的决定性影响达到新高度。

罗姆第4代SiC MOSFET赋能丰田bZ5电动车 中日合资模块实现量产突破

2025年6月24日,全球半导体巨头罗姆(ROHM)宣布其第四代碳化硅(SiC)MOSFET裸芯片已成功集成至丰田汽车面向中国市场推出的纯电动SUV车型"bZ5"的牵引逆变器系统。该技术突破由罗姆与中国正海集团合资设立的上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC)实现规模化量产,标志着中日产业链协作在高端功率模块领域取得实质性进展。