发布时间：2014-02-14 阅读量：836 来源: 我爱方案网 作者:
中国，2014年2月13日 ——意法半导体最新推出STM32 Dynamic Efficiency（动态效率）微控制器产品线的首款产品——STM32F401。新产品集成多项尖端技术，在动态功耗与处理性能之间取得完美平衡，同时还提高了芯片的功能集成度。
兼备高能效与超过100DMIPS的处理性能，STM32F401 动态能效微控制器可延长手机、平板电脑和智能手表的电池续航能力，支持更多的创新功能，特别适用于管理智能联网装置的MEMS传感器，还适合物联网(IoT)应用和现场总线控制型工业设备。
意法半导体的新STM32 动态能效微控制器集成多项新技术，其中包括意法半导体独有的ART Accelerator自适应实时加速器、预取指队列和支路缓存。这些技术使新产品从闪存执行代码实现零等待状态，在84MHz时，处理性能提升到105 DMIPS (285 CoreMark)，工作模式电流降至128µA/MHz。此外， 90纳米工艺技术有助于提高微控制器的性能，降低动态功耗，同时动态电压调节技术可优化工作电压，使微控制器达到性能要求，最大限度地降低泄漏电流。在1.8V时，停止模式电流仅为9µA。
新产品的推出进一步扩大了意法半导体的高性能的基于内置浮点单元和DSP的 ARM Cortex-M4内核的 STM32 F4产品系列组合，新的STM32F401产品在一个3.06mm x 3.06mm片级封装内集成高达512KB闪存和96KB SRAM。外设包括3个1Mbit/s I2C端口、3个USART、4个 SPI端口、2个全双工 I2S 音频接口中、USB2.0 OTG 全速接口、SDIO接口、12位2.4MSPS 16通道模数转换器和多达10个定时器。
STM32F401 动态能效微控制器现已量产。STM32F401CDY6 整合了384KB闪存和 96KB SRAM，采用3.06mm x 3.06mm WLCSP49封装。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩，标志着其连续三个季度实现同比增长，显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告，该公司在多个关键财务指标上表现稳健，受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为，这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示，当季实现营收2.521亿美元，较去年同期大幅增长32.3%，创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司（Microchip Technology）于8月7日发布了其2026财年第一季度（截至2025年6月30日）的财务报告。报告显示，公司业绩呈现显著复苏迹象，多项关键指标环比改善，并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日，赛力斯集团（601127）公布2025年7月产销快报。数据显示，尽管整体市场仍承压，集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性，单月销量同比提升5.7%，而传统燃油车型业务持续收缩，反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下，传统的硅基（Si）功率器件，特别是在双向能量流动应用（如电池管理系统BMS）中常用的背靠背MOSFET方案，逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓（VGaN™）器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸，成为理想的替代者。然而，充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的VGaN™ IDM厂商，推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟，为双向电力电子系统设计带来革命性突破。
