发布时间:2014-02-18 阅读量:728 来源: 我爱方案网 作者:
亮点:
1、支持1.25 Gbps至12.5 Gbps的数据速率,覆盖多种协议,包括PCI Express 3.0、SATA 6G、10GBASE-KR、10GBASE-KX4、1000BASE-KX、CEI-6G/11G、SGMII、QSGMII、SFF-8431、CPRI、OBSAI以及JESD204B
2、在一个高性能的模拟前端支持下,通过有损耗的背板和端口侧接口也能实现优异的信号完整性
3、借助对L1子状态的支持、新颖的发射器设计、DFE旁路和半速率架构,能够实现比竞争性解决方案低出多达20%的工作与待机功耗
4、自带扩频时钟的不同的参考时钟(SRIS)、参考时钟共享和片上测试功能,改善了系统设计和效率
为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球领先供应商新思科技公司日前宣布:其多协议DesignWare Enterprise 12G PHY IP正式上市,该物理层知识产权(PHY IP)将使多样化的高端网络和计算应用在功耗降低的同时提升了性能。DesignWare Enterprise 12G PHY是专门为应对设计师们所面临的不断增长的性能/功耗平衡挑战而设计,它使设计师能够轻松地将各种企业级通信协议集成到他们的系统级芯片(SoC)上,包括PCI Express 3.0、SATA 6G、10GBASE-KR、10GBASE-KX4 (XAUI)、1000BASE-KX、CEI-6G/11G、SGMII、QSGMII、SFF-8431、CPRI、OBSAI和JESD204B等,,而使这些SoC具有比竞争性解决方案更高的性能同时功耗降低多达20%。
DesignWare Enterprise 12G PHY包括架构性的创新,以明显地降低企业应用SoC的功耗。这种高性能模拟前端集成了在工作和待机两种运行模式中的省电功能。该混合发送驱动器支持低功耗电压模式和高摆幅电流模式,以及其它的可降低功耗的特性,如在驱动和决策反馈均衡(DFE)旁路模式下的L1子状态、可选的I/ O电源。
高性能的DesignWare Enterprise 12G PHY支持从芯片到芯片、背板和端口侧接口来确保复杂的系统集成。灵活的时钟倍增器单元(CMU)包括多个锁相环(PLL),以便在包括老式系统这样要求最严苛的应用中,穿过长而有损耗的背板传输从1.25 Gbps到12.5 Gbps的高质量数据。该模拟前端包括5级DFE(5-tap DFE)、连续时间线性均衡(CTLE)和前馈均衡(FFE),并带有先进的算法用于启动和任务模式适应,以在高吞吐量通信通道中提升信号完整性。其带有诸如参考时钟转发和PCI Express聚集及二分等先进功能的多通道架构,为设计师提供了一种用于各种高速SoC的灵活的、可扩展的PHY IP解决方案。
“作为一家加入PCI-SIG超过10年的成员,Synopsys在开发PCIe 技术方面已经扮演了一种重要的角色,”PCI-SIG主席兼总裁Al Yanes表示:“其对PCIe 3.0架构的支持有助于使PCI Express生态系统的不断成功。”
“根据数据中心和云处计算的最新趋势,在诸如软件定义联网和低功耗微服务器中,系统架构师正越来越多地在单个SoC中实现多个高带宽通讯协议,”Synopsys公司IP和系统市场副总裁John Koeter评论道:“通过在我们多样化的数据中心IP产品组合中增加DesignWare Enterprise 12G PHY IP,我们能够帮助设计师更好地处理全新云计算架构中的性能和功耗问题。”
供货
采用28纳米工艺技术的DesignWare Enterprise 12G PHY IP已经开始供货,采用14/16纳米FinFET工艺技术的IP正在开发。Synopsys面向数据中心的DesignWare IP产品组合还包括用于40G/10G/1G以太网、DDR4/3、PCI Express 3.0/2.0、USB 3.0/2.0、SATA 6G和ARM AMBA AXI4和 AMBA 3连接器的解决方案,逻辑库与嵌入式存储器;以及Synopsys ARC®处理器,上述所有的产品现在都已可供货。
新思科技(Synopsys)是一家为各种SoC设计提供高质量并经硅验证IP解决方案的领先供应商,其丰富的DesignWare IP产品系列包括完整的接口IP解决方案,如支持多个广泛应用的协议的控制器、物理层IP(PHY)和验证IP,模拟IP,各种嵌入式存储器,逻辑库,处理器内核和子系统。为了支持软件开发及IP的软硬件集成,Synopsys还为其多种IP产品提供驱动器、事务级模型和原型。Synopsys的 HAPS®基于FPGA的原型解决方案支持在系统环境中验证IP和SoC。Synopsys的Virtualizer虚拟原型工具箱使开发人员能够比传统方法提前很多就开始为IP或者整个SoC开发软件。凭借一种稳健的IP开发方法学,以及在质量、IP原型、软件开发及综合性技术支持等领域内的大力投入,Synopsys使设计师能够加快产品的上市并减小集成风险。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。