罗姆开发出业界顶级低功耗蓝牙模块LSI

发布时间:2014-02-18 阅读量:1266 来源: 发布人:

【导读】在蓝牙技术的行业应用中,纽扣电池驱动的设备居多,这就对蓝牙设备的功耗要求提高。然而从零开始开发蓝牙系统需要充分的无线及协议相关知识,在这样的情况下罗姆开发出了业界顶级的低功耗蓝牙系统LSI,为相关产品开辟了广阔的市场空间。

OHM(罗姆)旗下LAPIS Semiconductor开发出支持Bluetooth  LE的LSI(ML7105-00x)。发送数据时9.8mA,接收数据时8.9mA,2秒间歇工作时的平均电流8μA。在此,针对本LSI和模块以及构建系统所需的示例软件、配置文件进行介绍说明。 
 
Bluetooth LE LSI(ML7105-00x)的内部结构

1
图1 Bluetooth LE LSI(ML7105-00x)的内部结构

本LSI搭载的电路块由无线单元(RF)、调制解调器单元(MODEM)、Bluetooth® LE控制器单元、低功耗逻辑单元、电源单元(Main Reg. / Low Power Reg.)、振荡电路单元(26MHz/32kHz)、主机接口单元(UART、I2C、SPI、GPIO)构成。各单元的主要功能分别是:无线单元提供2.4GHz数据发送电路和数据接收电路,发送系统通过D/A转换器将调制解调器单元(调制器)输入的调制信号转换为模拟信号,再通过本地PLL与2.4GHz频段的信号叠加。然后,通过功率放大器放大到足够的功率作为电波由天线发射。接收系统输入由天线捕捉到的各种强度的接收信号,由低噪声放大器放大微小信号。后面的混频器将2.4GHz频段的频率转换为几MHz左右的中间频率,输入到带通滤波器,仅选择所需信道的信号。接着,由限幅器将信号放大,传输给调制解调器单元(解调器)。这些无线单元的特点是,采用PLL直接调制方式,对各电路块整体进行优化,从而实现更低峰值电流(10mA以下)。

然后,在控制器单元进行Bluetooth LE数据包的编码、解码处理,由链路处理单元(LL)与协议栈(GATT/ATT/SMP/GAP/L2CAP)发现设备并与发现的设备连接并提供双向通信。另外,通过与低功耗逻辑单元的联动,新开发了在电源关断时更加省电的抑制泄漏电流的电路;同时,还优化了Bluetooth LE的协议处理固件,缩短了数据包收发数据处理时间,使工作时的耗电量更低。然后,电源单元内置主稳压器和低功耗稳压器,在非通信时仅通过功耗更低的低功耗稳压器进行数据存储。通过这些设计,实现了整体泄漏电流的最小化。振荡电路单元内置主要工作用的26MHz和低功耗工作用的32kHz。特别是主要工作用26MHz振荡电路是按Bluetooth LE的连接间隔周期每次停动的,因此,通过调整,使从停动状态到启动之间的时间最短化,从而减少了待机电流。最后,主机接口单元配备了Bluetooth LE标准化的HCI(UART)和LAPIS Semiconductor独有的BACI(SPI)。HCI主要与PC连接,可用于无线认证试验。BACI与安装了Bluetooth LE配置文件和应用程序的主机微控制器连接,提供Bluetooth LE服务。

BACI通过简化与主机之间的通信来降低访问频率。而且,在结构设计上采用通过事件使主机启动的结构,因此,是尽可能使主机停动来抑制耗电量的设计。综上所述,本LSI在整个结构模块上进行了降低耗电量的设计,从而,使纽扣电池驱动3年以上连续工作成为可能。主机和堆栈结构如图2所示。

2
图2 主机和Bluetooth LE控制器堆栈结构

Bluetooth LE模块

3
图3 Bluetooth® LE模块的外形照片和结构

本模块在Bluetooth LE LSI (ML7105-00x)之外还内置有Pattern ANT、RF匹配电路、EEPROM、OSC。LAPIS Semiconductor出货时将通过Pattern ANT及RF匹配电路调整RF性能,因此,用户无需调整即可安装于商品中。EEPROM可存储主要含有RF调整值、通信模式、设备地址的配置参数,并可存储用户自己的参数。OSC由主时钟的26MHz晶体振荡器和调整电路构成,已调整为Bluetooth LE所要求的频率精度。
 
该产品为将多数元器件一体化封装的SiP(System in Package)构造,因此,可与LSI同等处理。另外,产品将通过Bluetooth SIG认证的组件测试(RF、PHY、LL、4.0HCI、L2CAP、GAP、SMP、GATT/ATT)获得QDID后作为模块提供给客户,因此,作为最终产品注册时,只需嵌入用户准备的配置文件即可轻松登记到Bluetooth SIG官网的产品一览中。还有,要想进行注册工作,需要事先向Bluetooth SIG成员(创始成员、加盟成员、应用成员)登记。

另外,该产品计划在获得日本国内外无线电认证后进行供货,因此,可直接在日本国内以及获得认证的海外地区操作Bluetooth LE(输出电波),客户可在短时间内快速导入到商品中。

Bluetooth LE评估套件和示例软件
 
为了提高LAPIS Semiconductor的Bluetooth LE产品的导入速度与开发速度,公司准备了评估套件和示例软件。评估套件(图4)包含USB加密狗和无线传感器节点,可通过PC操作Bluetooth LE通信(各种传感器数据接收、LED ON/OFF控制)。

4
图4 Bluetooth LE开发评估套件

示例软件(图5)包含可安装于主机微控制器的独有配置文件VSSPP(Vendor Specific Serial Port Profile)/VSP(Vendor Specification Profile),使用这些软件,可通过基于UART的终端通信轻松确认P2P(对等计算,PEER-TO-PEER)的Bluetooth LE通信控制。

5
6
图5 示例软件的结构

连接时已实施配对,限制其后的连接设备,实现加密数据通信。另外,可作为点对点的Bluetooth LE设备与智能手机通信,使用专用的智能手机应用程序,可确认独有配置文件的服务。
 
为使用Bluetooth LE正确通信,与主终端与从终端相同,需要安装一样配置文件。配置文件为层次结构,内部有定义几个服务及其属性(read/write等)的特征值。例如,在Heart Rate Profile中有Heart Rate Service和Device Information Service等。LAPIS Semiconductor相继开发了标准配置文件,所有的配置文件都是与第三方联合开发的,预计均可供货,并有望支持向用户平台的移植。
 
未来展望

今后,Bluetooth LE的应用范围有望进一步扩大,对更低耗电量、更加小型、系统开发更容易的需求日益强劲。因此,继当前的ML7105系列之后,LAPIS Semiconductor正在开发后续系列。根据计划,后续系列不仅耗电量进一步降低,而且,为满足小型化需求,采用超小型薄型封装的WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package),产品阵容将更加丰富。另外,为了比以往更容易导入Bluetooth® LE,在目前开发中的模块基础上,LAPIS Semiconductor还计划开发内置主机微控制器和ROHM集团开发的各种传感器的SiP模块。
相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。