发布时间:2015-03-16 阅读量:766 来源: 我爱方案网 作者:
全球半导体设备龙头应用材料公司(Applied Materials)于2025年5月15日公布了2025财年第二季度(截至2025年4月27日)财务报告。财报显示,公司单季度营收达71亿美元,GAAP每股盈余同比增长28%至2.63美元,均创历史新高。这一业绩不仅体现了公司在复杂宏观环境下的韧性,更凸显了其在人工智能(AI)计算和高性能半导体技术领域的核心优势。
随着5G、物联网(IoT)和智能设备的快速发展,射频前端设计对高性能、宽频带开关的需求日益迫切。Abracon推出的ASWD-S2系列高线性度宽带射频开关,凭借其覆盖DC至8.5GHz的宽频段、30dB高隔离度及34.5dBm高线性度等特性,成为新一代无线通信系统的核心组件。该产品通过优化工艺和封装设计,解决了传统射频开关在信号完整性、空间限制和多协议兼容性上的技术瓶颈,为智能家居、医疗设备和工业物联网等场景提供了高效解决方案。
全球半导体行业正经历新一轮技术迭代周期,英特尔近期宣布的18A先进制程引发业界高度关注。作为其工艺路线图中首个融合RibbonFET晶体管架构与背面供电技术(Backside Power Delivery)的节点,18A不仅承载着企业重返技术领导地位的战略使命,更可能重塑全球芯片制造竞争格局。
全球工业技术领导者Littelfuse(NASDAQ:LFUS)日前发布革新性电路保护解决方案——Pxxx0S3G-A系列SIDACtor®晶闸管。该产品作为业内首款采用DO-214AB(SMC)封装且支持2kA(8/20μs)浪涌能力的保护器件,成功攻克紧凑空间下的高能瞬态抑制技术难题(源自Littelfuse官方新闻声明)。
2025年5月19日,瑞萨电子正式推出基于Arm® Cortex®-A55架构的RZ/A3M微处理器,该产品通过创新性系统级封装(SiP)技术实现存储与计算单元的高度集成,成为业内首款内置128MB DDR3L-SDRAM的RTOS级MPU。据嵌入式处理营销事业部副总裁Daryl Khoo表示:"这款产品在维持系统成本优势的前提下,实现了专业级图形渲染能力和实时任务处理效率的提升,将加速工业4.0设备的HMI迭代进程。"