PI推出LinkSwitch-4 低成本更高效手机驱动解决方案

发布时间：2015-04-3 阅读量：767 来源: 我爱方案网作者:

【导读】在BJT和MOSFET的比较中，MOSFET以其热稳定性好、安全工作区大，逐渐成为开关电源领域的绝对主力器件。但在一些低功率和低成本的比较中，BJT可能仍然会有一定的优势。PI公司推出的LinkSwitch-4相比传统的BJT驱动有了很大的提升，在手机等移动产品设计中极大的降低了成本，提高了效率。

PI最近发布了新产品LinkSwith-4系列恒压/恒流初级侧调节（PSR）开关IC，该产品系列采用自适应基极-发射极驱动开关驱动技术，支持BJT开关，能够大幅提高电源转换效率——即使在10%负载点也具有高效率——并消除次级侧击穿产生的可靠性问题。这一新产品系列是专门为满足将于2016年1月正式生效实施DoE6及CoC V5标准而生的。

图1

据Peter Rogerson（PI公司全球市场传讯与ACS主管）介绍，LinkSwitch-4所采用的自适应基极-发射极开关驱动相比于传统的基极驱动相比有一些显著的优势：它能很大程度降低BJT增益的敏感度，可驱动任何外部BJT并扩大BJT的RBSOA（反向偏置安全工作区），使其可与MOSFET相媲美（如图2所示）。同时以补充基极驱动（SBD）扩大基极电流，实现高功率、低增益BJT设计。最为重要的，它能利用高导通电流脉冲来实现BJT的快速关断，从而减少BJT的功率损耗（如图3所示）。

图2

图3（a）：仅基极驱动BJT的功率损耗

基极-发射极驱动BJT的功率损耗

图3（b）：基极-发射极驱动BJT的功率损耗

图3（c）：提高关断速度，从而减少功率损耗

但是，提高关断速度会带来一个潜在的问题——EMI。关于此项，Peter Rogerson认为，即使提高了关断速度，但在这样的频率之下，EMI的影响实际上是很小的。不过，即便LinkSwitch-4相比传统的BJT驱动有了很大的提升，但BJT本身从原理上与MOSFET相比就有一些天然的劣势，诸如开关速度要比MOSFET慢很多，频率响应相对较差，噪声也大过MOSFET。MOSFET有非常高的输入阻抗和趋近于零的偏压电流，可实现理想的开关。最为重要的是BJT容易过热，因而MOSFET相对而言更加可靠，不易过热或损坏。

Peter Rogerson谈到，LinkSwitch-4能够覆盖15W以下的充电器应用，而目前功率较大的移动设备充电器——如iPad，也只有10W左右。

因此，专业人士认为，PI推出LinkSwitch-4，可能并不是想让BJT与MOSFET直接竞争甚至取代MOSFET，而是要利用BJT本身的低成本优势，并通过LinkSwitch-4来实现元器件数目的减少而进一步降低成本，以此来覆盖功能手机、低端智能手机等更注重成本的应用。

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