智能线性高压LED驱动方案及其发展趋势的分析

发布时间:2015-04-7 阅读量:903 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】我爱方案网小编为大家介绍智能线性高压LED驱动方案及其发展趋势的分析,日后中国的LED市场会有明显的层次化划分,针对消费者的需要,高、中、低端都会有大量相应产品涌现。

一. 无法实亮度的控制。

二. LED灯珠寿命大大缩短。

而高频开关电源CC(恒流)控制是一种常见的办法。但性能提高的同时,成本大大提高。

在LED灯珠负载里串接有源或无源器件,使线路产生“恒压”效果,这样在LED负载通过的是恒电流,而外接线承受了变化的电压。就是类似LDO(DropoutRegulato低压差线性稳压器)的工理。下面详细介绍这种实现恒流的驱动方式及其发展趋势。

相比与高频开关电源,线性高压方案的优点主要有:一. 省去了输入电解电容、输出电容,是一种无解电容的线路。电解电容寿命是电源寿命的瓶颈,省去了电解电容,驱动电源寿命就延长了。 二. 电路工性模式,不是工作在高频模式,省去了高频电感,同时没有EMI的问题,省去了EMC电路。 三. 省去了高频电感等外围元件,进一步降低成本。

智能线性高压LED驱动方案及其发展趋势分析方案

第一代阻容线性控制方法阻容降压工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流,电容降压实际上是利用容抗限流,而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。阻容降压的线路极简,主要优点是低成本。缺点如下:1. 输入电压波动时,电流随之波动。2. PF低从输入端来看,负载呈容性,电容耐受高压,选型较困难,寿命较短。

第二代开关线性恒流控制方法恒流二极管(CRD)、恒流三极管(CCT)、MOSFET管.按照控制方式来说,也就是单开关的控制方法。优点:1. LED灯珠电流可控,亮度可控。2. 灯珠电流恒定,灯珠寿命比第一代的增长.缺点正向压降过高,导通时间过短,暗灯时间过长闪烁剧烈。

第三代分段式开关线性控制方法针对第一代单开关控制的缺点,发展出了第三代分段式控制方法。这种控制方法原理是一个控制芯片检测输入交流电压,来给几个串接在LED负载的MOSFET提供门极信号,根据输入交流电压的高低,分段的开通LED负载,市场对第三代控制电路提出了以下具体要求:

1. 效率>0.9

2. PF>0.95

3. 90%以上可控硅调光器兼容性

4. 开关调光功能

5. 内置线性温度补偿和过温保护

缺点灯珠的利用率不高。

第四代线性是控制功率的方法,是以低压子串串联,高压子串并联的工作方式。

“高阶分段”技术采用了N型开关与P型开关相互配合的控制方案,只增加较小的成本代价就实现了十二分段线性恒流驱动,热耗散功率相比四段线性恒流芯片减少了60%,电源效率最高达到创纪录的93%,为“动态配置”和“电容填谷”的技术的应用提供了坚实的平台。

“动态配置”技术在全波整流电压较低时把LED灯串的串联结构改为并联结构,解决了LED灯芯利用率不高问题。

“电容填谷”技术通过外加1uF贴片电容在全波整流零电压附近给LED灯串供电,解决了100Hz频闪问题。“动态配置”和“电容填谷”技术结合在一起实现了全波整流的完整周期内电源输出功率恒定,从而彻底解决了高压线性恒流方案频闪较深和灯芯利用率低的顽疾提供了坚实的平台。

同时,“电源”的线性高压LED方案,由于其线路及其简单,并且性能也逐渐提升,成本、可靠性的优势使其也会有很大的发展。

相关文章

智能驱动LED-MR16——电子变压器在应用的分析方案

基于无源驱动技术的智能OLED发展状况分析方案

基于智能LED驱动电源的户外防雷要求方案
相关资讯
中国芯片产业再突破:小米自研3nm玄戒O1芯片量产开启高端化新篇章

2025年5月20日,小米集团董事长雷军通过微博宣布,小米自主研发的3nm旗舰芯片“玄戒O1”已进入大规模量产阶段,并计划于5月22日发布会上推出搭载该芯片的高端旗舰手机小米15S Pro和OLED平板7 Ultra。这一突破标志着中国芯片设计能力正式跻身全球第一梯队,成为继苹果、高通、联发科之后全球第四家掌握3nm手机SoC技术的企业。

国产芯片突围战:国科微4TOPS算力芯片如何撼动车载AI市场?

在全球汽车智能化浪潮下,车载芯片正成为产业链竞争的核心战场。国科微近期在接受机构调研时透露,公司已完成多款车规级AI芯片和SerDes芯片的研发测试,并通过ISO26262 ASIL B功能安全认证,标志着国产芯片企业在智能驾驶领域实现关键技术突破。本文将结合行业趋势与企业动态,分析其技术布局与市场前景。

从去库存到补周期:2025上半年存储市场供需拐点深度透视

全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期,呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示,五大NAND Flash头部厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据)于二季度联合实施产能调控策略,将稼动率下调10-15个百分点,这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示,NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅,成功扭转连续三个季度的下行趋势。

开关损耗降低55%:解析东芝第三代SiC MOSFET的竞争优势与应用前景

2025年5月20日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)宣布推出四款650V碳化硅(SiC)MOSFET器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C和TW123V65C。这些产品基于第三代SiC MOSFET技术,采用创新的DFN8×8表贴封装,显著提升了功率密度和开关效率,主要面向工业设备中的开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电站等高增长领域。

BOM成本直降30%!贸泽首发高性价比AI处理器方案

在全球智能化转型加速的背景下,贸泽电子作为全球领先的电子元器件代理商,今日宣布正式开放Renesas Electronics RZ/V2N嵌入式AI微处理器的全球供货。这款采用创新架构的处理器专为视觉AI应用场景深度优化,通过集成式异构计算方案,成功在算力密度与能效比之间取得突破性平衡,其15 TOPS的AI推理性能搭配10 TOPS/W的能效表现,为工业视觉、移动机器人等边缘计算领域带来全新解决方案。