Altera公开首款集成HBM2 DRAM和FPGA的异构SiP器件

 
数据中心、广播、固网和高性能计算等系统要处理的数据量不断攀升，需要的带宽非常高。相对于目前的分立DRAM解决方案，Stratix 10 DRAM SiP的存储器带宽提高了10倍。
 
Altera是将这种突破性的3D堆叠存储器技术和FPGA集成在一起的第一家公司。Stratix 10 DRAM SiP支持用户以高功效的方式定制其工作负载，获得最大存储器带宽。Altera与数十家客户积极合作，在其下一代高端系统中集成了这些DRAM SiP产品。
 
Altera的异构SiP产品是使用Intel的嵌入式多管芯互联桥接(EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技术来实现的。EMIB技术采用高性能、高密度硅片短桥接在单个封装中将多个管芯连接起来。EMIB技术的管芯之间走线非常短，支持Altera以高性价比方式构建异构SiP器件，与基于中介层的解决方案相比，性能更好，吞吐量更大，而功耗更低。
 
Altera企业战略和营销资深副总裁Danny Biran评论说：“我们很多客户在系统中实现需要大量计算的任务时，面临最大的一个难题是怎样支持越来越高的存储器带宽需求，这些系统包括机器学习、大数据分析、图像识别、工作负载加速和8K视频处理等。Altera在单个封装中同时实现了业界性能最好的FPGA与宽带存储器，在满足这些系统需求方面有自己的优势。还没有其他可编程解决方案在性能、功效和存储器带宽上达到Stratix 10 DRAM SiP的水平。”
 
Altera的异构SiP策略是在单个封装中集成单片FPGA和先进的组件，例如，存储器、处理器、模拟、光和各类硬核协议等。Altera高度集成的SiP产品将满足通信、高性能计算、广播和军事领域高端应用最苛刻的性能和存储器带宽需求。www.altera.com/stratix10上的白皮书详细介绍了Altera的异构SiP策略。 
 
在极小的外形封装中，SK Hynix的宽带存储器不但带宽非常高，而且功耗低于竞争存储器解决方案。宽带存储器(HBM2，High-Bandwidth Memory)纵向堆叠了DRAM管芯，使用直通硅片过孔(TSV，through-silicon vias)和微焊球将其连接起来。在异构SiP中集成HBM2，这种实现方式使得Altera能够将DRAM存储器尽可能靠近FPGA管芯进行封装，从而缩短了走线长度，以最低功耗实现最大存储器带宽。
 
高性能应用推动了业界对HBM2 DRAM技术的需求。SK Hynix美国技术营销副总裁Kevin Widmer说：“达到每秒256GB带宽，每比特功耗降低66%，HBM2开辟了新应用领域，这在以前是不可想象的。在单个系统级封装中集成高性能FPGA和HBM2，为高能效、宽带计算功能树立了重大的里程碑。”

 

供货信息
 
客户现在可以使用快速前向编译性能评估工具启动其Stratix 10设计。Altera将于2016年开始发售Stratix 10 FPGA和SoC，于2017年开始发售Stratix 10 DRAM SiP产品。www.altera.com/technology上更详细的介绍了Altera的Stratix 10 DRAM SiP。关于Altera的Stratix 10 DRAM SiP产品的详细信息，请联系您当地的Altera销售代表。

前瞻性陈述

本新闻发布稿含有的与Stratix 10 FPGA和SoC器件以及Altera集成了HBM2和Stratix 10 FPGA的系统级封装解决方案开发相关的“前瞻性陈述”是依照1995年私有安全起诉改革法案所规定的免责条款。请投资者注意，前瞻性陈述具有一定的风险性和不确定性，可能导致实际结果不同于当前预测，包括不受限制的依赖于产品开发计划，软件和其他开发工具的设计性能，Altera和第三方的开发技术、生产能力，以及Altera安全和交流委员会档案中讨论的其他风险等，Altera网站上提供档案副本，也可以从公司免费获得该副本。