便携式应用的理想方案——升/降压IC设计

发布时间:2016-07-7 阅读量:1175 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】便携式应用中,效率越高工作时间就越长,所以稳压器效率最为重要。本文回顾可供使用的选择,对其性能进行比较,并确定效率最高的方案。

便携式设备广泛使用的电源为单节锂离子电池,其充满电时为4.2V,放完电时为2.8V。然而,便携式电子设备中的某些功能,例如SIM卡和DSP,要求2.8V和3.3V电压。这些电压一般由低噪声LDO提供。LDO输入(VCC)电压必须稍高于LDO的最大输出电压。然而,VCC恰恰在锂离子电池工作范围的中段停止工作。所以,使用升压/降压型稳压器,能够在输入电压高于或低于输出电压时工作,就变得非常必要。图1所示为典型便携式设计中使用电池电压(VBAT)作为电源的应用。
由升压/降压转换器设定的LDO输入电压
图1.由升压/降压转换器设定的LDO输入电压

便携式应用中,效率越高工作时间就越长,所以稳压器效率最为重要。本文回顾可供使用的选择,对其性能进行比较,并确定效率最高的方案。

旁路/升压

解决该问题的方式之一是使用旁路/升压转换器,也就是带有外部“旁路”晶体管的升压转换器;晶体管集成在电源(VBAT)与LDO输入(VCC)之间。图2所示为旁路/升压电源链结构及其操作表。其中旁路晶体管T3完成“低效”的降压操作。 20160702fig2
旁路/升压电源链及操作表

旁路/升压电源链及操作表
图2.旁路/升压电源链及操作表

该结构只能调节低于设定的VCC = 3.4V的VBAT电压。如果VBAT > 3.4V,升压转换器停止调节,传输晶体管导通,直接将VBAT连接至VCC。图3所示为电池放电特性,以及旁通/升压结构下的LDO输入电压。
旁路/升压操作下的LDO输入电压特性
图3.旁路/升压操作下的LDO输入电压特性

大部分时间(VBAT > 3.4V),旁通/升压结构中的传输晶体管原封不动地将输入电压“传递”给下游LDO电路。LDO负责将高VBAT值降压至其输出设定值。由于这一调节过程是线性的,所以LDO内部的功耗较高。这就造成能耗较高,并且也要求电路板设计和IC选择能够耗散这种能耗。
升/降压

与旁路/升压结构相比,该电路中使用的升/降压转换器自始至终将其输出稳压至3.4V。此外,稳压过程完全是开关模式,工作效率较高。图4所示为升/降压电源链结构及其操作表。
升/降压电源链及操作表

升/降压电源链及操作表
图4.升/降压电源链及操作表

VBAT > VCC时,IC工作在Buck (降压)模式;VBAT < VCC时,平滑转换至Boost (升压)工作模式。以高效率、开关模式覆盖整个电池电压范围。图5所示为电池放电特性,以及升/降压结构下的LDO输入电压。
升/降压操作下的LDO输入电压特性
图5.升/降压操作下的LDO输入电压特性

图6中将两种工作模式叠加在一起,其中阴影部分中,升/降压模式的功耗具有明显优势。阴影三角区域表示旁路/升压操作进行线性稳压时的功率损耗。
升/降压与旁路/升压模式下的LDO输入电压特性比较
图6.升/降压与旁路/升压模式下的LDO输入电压特性比较

案例分析

案例分析中,我们将Maxim MAX77801升/降压IC与竞争对手的旁路/升压IC进行比较。每种稳压器都驱动单3.3V LDO,负载电流为500mA。
效率测试配置
图7.效率测试配置

图8所示为比较结果。实线表示每种方案的效率,虚线表示其电池电流损耗。和预期一样,VBAT低于或接近LDO输出电压时,两种结构的效率相似;该范围之外,在VBAT高于LDO输出电压的整个时间内,升/降压结构的效率(高于90%)远远优于旁路/升压结构的效率(电池满电量时低至67%)。这种优异的性能是因为升/降压IC能够在整个工作范围内以开关模式为LDO供电。
升/降压与旁路/升压结构的效率比较
图8.升/降压与旁路/升压结构的效率比较

结论

升/降压结构与旁路/升压结构的比较证明,升/降压工作模式在本质上具有优异的效率。通过将MAX77801升/降压方案与竞争对手的旁路/升压结构进行实际比较,结果表明Maxim器件的效率高出达25%。所以,升/降压IC是便携式应用的理想方案。
相关资讯
国产突围!川土微电子CA-IF1044AX-Q1 CAN收发器:全链路自主化与EMC性能双突破

随着汽车智能化、电动化浪潮加速,CAN收发器作为车载网络的核心通信接口,其可靠性与安全性成为产业链关注焦点。然而,国际局势的不确定性使得供应链自主可控需求迫在眉睫。川土微电子推出的CA-IF1044AX-Q1 CAN收发器,实现了从设计、晶圆制造到封测的全链条国产化,并通过欧洲权威机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证,成为兼具安全性与高性能的国产车规级解决方案。

“中国芯”逆袭时刻:新唐携7大新品打造全场景AIoT解决方案矩阵

在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。

半导体先进制程技术博弈:台积电、英特尔与三星的差异化路径

在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。

嵌入式主板EMB-3128:轻量级边缘计算的工业级解决方案

随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。

从ASMI财报看行业趋势:AI芯片需求爆发如何重塑半导体设备市场?

作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。