知识库:锂离子常见问题原因分析及解决方案

发布时间:2016-10-15 阅读量:1511 来源: 我爱方案网 作者: jiangliu

随着科技水平的高速发展,锂电池的使用范围及作用早已不言而喻,但是在我们的日常生活中锂电池事故问题总是层出不穷,时时困扰着我们,鉴于此,我爱方案网特别整理了锂离子常见问题原因分析及解决措施,希望给大家提供方便。


一、电压不一致,个别偏低
1.自放电大造成电压低
电芯自放电大,使其电压降低比其它快,电压低可以通过存贮后检电压来消除。
2.荷电不均造成电压低

电池检测后在荷电时,由于接触电阻或检测柜荷电电流不一致造成电芯荷电不均。在短时间存放(12小时)测电压差别很小,但长期存放时电压差别较大,这种低电压并无质量问题,可以通过充电解决。在生产中荷电后存放超24小时测电压。


二、内阻偏大
1.检测设备差别造成
如果检测精度不够或者不能消除接触电组,将造成显示内阻偏大,应采用交流电桥法原理测试内阻仪器检测。
2.存放时间过长
锂电池存放过长,造成容量损失过大,内部钝化,内阻变大,可以通过充放活化来解决。
3.异常受热造成内阻大

电芯在加工(点焊、超声波等)使电池异常受热,使隔膜产生热闭合现象,内阻严重增大。


三、锂电池膨胀
1.锂电池充电时膨胀
锂电池在充电时,锂电池会自然产生膨胀,但一般不超过0.1mm,但过充电就会造成电解液分解,内压增大,锂电池膨胀。
2.加工时膨胀
一般是出现加工异常(如短路、过热等)造成内部受热过大电解液分解,锂电池膨胀。
3.循环时膨胀

电池在循环时,厚度会随着循环次数增加而增加,但超过50周次以后基本不在增加,一般正常增加量在0.3~0.6 mm,铝壳较为严重,此种现象属于正常电池反应造成。但如果增加壳体厚度或减少内部物料可以适当减轻膨胀现象。


四、点焊后电池有掉电现象
铝壳电芯在点焊后电压低于3.7V,一般是因为点焊电流过大致使电芯内部隔膜击穿而短路,造成电压下降过快。
一般是点焊位置不正确所致,正确点焊位置应该在底部或有标记“A”或“—”侧面点焊,无标识侧面和大面是不能点焊的。另外有些是点焊镍带可焊性太差,因此必须使用很大电流点焊,致使内部耐高温胶带也不能起作用,造成电芯内部短路。

点焊后电池掉电也有部分是由于电池本身自放电较大所致。


五、电池爆炸
产生电池爆炸一般有以下几种情况:
1.过充爆炸
保护线路失控或检测柜失控使充电电压大于5V,造成电解液分解,电池内部发生剧烈反应,电池内压迅速上升,电池爆炸。
2.过流爆炸
保护线路失控或检测柜失控使充电电流过大造成锂离子来不及嵌入,而在极片表面形成锂金属,穿透隔膜,正负极直接短路造成爆炸(很少发生)。
3.超声波焊塑料外壳时爆炸
超声波焊塑料外壳时,由于设备原因使其超声波能量转移至电池芯上,超声波能量很大使电池内部隔膜熔化,正负极直接短路,产生爆炸。
4.点焊时爆炸
点焊时电流过大造成内部严重短路产生爆炸,另外,点焊时正极连接片直接与负极相联,使正负极直接短路后爆炸。
5.过放爆炸
电池过放电或过流放电(3C以上)容易使负极铜箔溶解沉积到隔膜上使正负极直接短路产生爆炸(很少发生)。
6.振动跌落时爆炸

电芯在剧烈振动或跌落时造成的电芯内部极片错位,直接严重短路而爆炸(很少发生)。


六、电池3.6V平台低
1.检测柜采样不准或检测柜不稳定造成测试平台低。
2.环境温度过低造成平台低(放电平台受环境温度影响很大)
七、加工不当造成
(1)用力移动点焊正极连接片造成电芯正极接触不良,使电芯内阻大。
(2)点焊连接片没有焊牢,接触电阻大,使电池内阻大。

相关资讯
华虹半导体2025年Q1业绩解析:逆势增长背后的挑战与破局之路

2025年第一季度,华虹半导体(港股代码:01347)实现销售收入5.409亿美元,同比增长17.6%,环比微增0.3%,符合市场预期。这一增长得益于消费电子、工业控制及汽车电子领域需求的复苏,以及公司产能利用率的持续满载(102.7%)。然而,盈利能力显著下滑,母公司拥有人应占溢利仅为380万美元,同比锐减88.05%,环比虽扭亏为盈,但仍处于低位。毛利率为9.2%,同比提升2.8个百分点,但环比下降2.2个百分点,反映出成本压力与市场竞争的加剧。

边缘计算新引擎:瑞芯微RV1126B四大核心技术深度解析

2025年5月8日,瑞芯微电子正式宣布新一代AI视觉芯片RV1126B通过量产测试并开启批量供货。作为瑞芯微在边缘计算领域的重要布局,RV1126B凭借3T算力、定制化AI-ISP架构及硬件级安全体系,重新定义了AI视觉芯片的性能边界,推动智能终端从“感知”向“认知”跃迁。

半导体IP巨头Arm:季度营收破12亿,AI生态布局能否撑起估值泡沫?

2025财年第四季度,Arm营收同比增长34%至12.4亿美元,首次突破单季10亿美元大关,超出分析师预期。调整后净利润达5.84亿美元,同比增长55%,主要得益于Armv9架构芯片在智能手机和数据中心的渗透率提升,以及计算子系统(CSS)的强劲需求。全年营收首次突破40亿美元,其中专利费收入21.68亿美元,授权收入18.39亿美元,均刷新历史纪录。

Arrow Lake的突破:混合架构与先进封装的协同进化

2024年10月,英特尔正式发布Arrow Lake架构的酷睿Ultra 200系列处理器,标志着其在桌面计算领域迈入模块化设计的新阶段。作为首款全面采用Chiplet(芯粒)技术的桌面处理器,Arrow Lake不仅通过多工艺融合实现了性能与能效的优化,更以创新的混合核心布局和缓存架构重新定义了处理器的设计范式。本文将深入解析Arrow Lake的技术突破、性能表现及其对行业的影响。

暗光性能提升29%:深度解析思特威新一代AI眼镜视觉方案

2025年5月8日,思特威(股票代码:688213)正式发布专为AI眼镜设计的1200万像素CMOS图像传感器SC1200IOT。该产品基于SmartClarity®-3技术平台,集成SFCPixel®专利技术,以小型化封装、低功耗设计及卓越暗光性能,推动AI眼镜在轻量化与影像能力上的双重突破。公司发言人表示:"AI眼镜的快速迭代正倒逼传感器技术升级,需在尺寸、功耗与画质间实现平衡,这正是SC1200IOT的核心价值所在。"