发布时间：2016-10-26 阅读量：1068 来源: 发布人:
在电子设备小型化与高效能需求双重驱动下，功率MOSFET的性能边界持续突破。圣邦微电子推出的SGMNL12330 30V N沟道MOSFET，以TDFN-2×2-6BL超薄封装、10A持续电流及9mΩ超低导通电阻，为高密度电源设计提供国产化高性能解决方案。
据TrendForce集邦咨询最新研究，NAND Flash产业历经2025年上半年深度产能调整与库存去化，供需失衡状况显著缓解。原厂加速将产能转向高毛利产品，导致通用型NAND晶圆流通量收缩。需求侧受企业级AI投资扩张及NVIDIA Blackwell架构芯片大规模出货带动，第三季合约价预计实现5%-10%的季度涨幅，正式确立市场回暖趋势。
随着人工智能服务器、边缘计算设备等高性能IT设备部署加速，电子元件的空间利用率成为制约设备性能的关键因素。据IDC预测，2025年全球AI服务器出货量将突破200万台，推动微型大容量电容需求激增63%。在此背景下，株式会社村田制作所率先实现0402英寸（1.0×0.5mm）封装47μF MLCC的量产，标志着高密度电路设计进入新纪元。
当地时间7月8日，美国商务部长霍华德·卢特尼克宣布，关于半导体进口关税税率的最终决定将于7月末或8月1日正式公布。他在白宫简报会上援引特朗普总统的立场称：“未在美建厂的企业将面临高额税率，但已投资建厂者可能获得1-2年缓冲期，此后税率将大幅提升。”
2025年7月9日晚，国内电子设计自动化（EDA）龙头企业华大九天（301269.SZ）发布重大公告，宣布终止通过发行股份及支付现金方式收购芯和半导体科技（上海）股份有限公司100%股权的交易方案，同步终止的还包括配套募资计划。这场备受业界关注的国产EDA整合在推进三个月后戛然而止。
