三星推新小尺寸大内存芯片:手机RAM春天

发布时间:2016-10-26 阅读量:1382 来源: 发布人:

据三星官网新闻,韩国巨头宣布推出业界首款8GBLPDDR4DRAM成片。此次的8GBLPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒,10nm级(10nm~20nm之间)工艺制造,可实现与20nm级4GB相似的封装面积(立体三围15mm15mm10mm)和功耗。内存速度为4266Mbps,比目前PC所用的DDR4DRAM典型值2133Mbps要快两倍。

三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片:手机RAM春天。



据三星官网新闻,韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。

此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒,10nm级(10nm~20nm之间)工艺制造,可实现与20nm级4GB相似的封装面积(立体三围15mm×15mm×1.0mm)和功耗。

内存速度为4266Mbps,比目前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快两倍。若按照64bit位宽,每秒可传输34GB的数据。

三星称,8GB的容量将得以让移动设备实现更流畅的虚拟机运行、4K视频回放等。


去年8月,三星推出了业界首个12Gb LPDDR4内存颗粒,使得6GB RAM手机得以实现,随着三星8GB LPDDR4的推出和骁龙821/653对8G的支持,相信很快就会有相关手机首发,会是谁呢?

相关资讯
突发!半导体巨头恩智浦宣布关闭晶圆厂!

恩智浦宣布关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂

国产芯片大突破!龙芯9A1000已交付流片,算力几十T!

龙芯中科旗下GPGPU产品9A1000已完成流片并进入交付阶段

抢下台积电大单?传三星正与AMD 洽谈2nm代工订单

三星代工正与AMD就2纳米(SF2)工艺展开深度合作谈判,有望为其下一代Zen 6架构EPYC服务器处理器“Venice”进行代工生产服务。

需求暴涨!英伟达计划提高H200芯片产能!

由于订单需求暴涨,英伟达正在评估提高H200芯片的产能。

多名高管获刑!国产存储造假案细节曝光!

紫晶存储犯欺诈发行证券罪,判处罚金人民币3700万元;公司实际控制人郑穆、罗铁威及原财务总监李燕霞等10名核心管理人员,全部被判处有期徒刑,刑期最高达七年六个月。