芯片剖开看,揭开超牛MEMS开关背后的技术秘密

发布时间:2017-09-5 阅读量:1197 来源: 我爱方案网 作者: candytang

解决大问题需要开创性的技术。机电继电器早在电报问世之初就已存在,但没有其他替代的开关技术可满足所有市场需求——特别是对于测试和测量、通信、防务、医疗保健和消费类市场中智能性和互联性更强的应用需求。


作为不断增长的市场需求的一个例子,测试和测量终端用户要求多标准测试解决方案的尺寸尽可能最小,在0 Hz/dc至数百GHz的频率范围内需要实现最高并行测试。机电继电器的带宽窄、动作寿命有限、通道数有限以及封装尺寸较大,因此对系统设计人员的限制日益增大。


微机电系统 (MEMS) 开关具有创新性,可以替代继电器并将行业推向更高水平。本文我们以ADI MEMS开关为例,为大家揭开超牛MEMS开关背后的技术秘密。凭借内部最先进的MEMS开关制造设备,ADI公司目前可以批量生产高性能的快速小型MEMS开关,此类开关的特点是机械耐用、功耗低且具有静电放电 (ESD) 保护功能。


MEMS开关技术
 
ADI MEMS开关技术的关键是静电驱动的微机械加工黄金悬臂梁开关元件概念。可以将MEMS开关视作微米尺度的机械继电器,其金属对金属触点通过高压直流静电驱动。


图1显示了单个MEMS开关悬臂的特写图。其中可看到并联的的五个触点和具有下面有空隙的铰链结构。这一开关设计用于ADGM1304单刀四掷 (SP4T) MEMS开关和具有增强型ESD保护性能的ADGM1004SP4T开关。

图1. 特写图显示了一个MEMS悬臂开关梁


ADI设计了一个配套驱动器集成电路 (IC),以产生驱动开关所需 的高直流电压,保证快速可靠的驱动和长使用寿命,并使器件易 于使用。


图2显示了采用超小型SMD QFN封装的MEMS芯片和驱动器IC。被封装在一起的驱动器功耗非常低——典型值为10 mW,比RF继电器的典型驱动器要求低10倍。


图2. ADGM1004增强型ESD保护MEMS开关


集成ESD保护
 
借助ADGM1304 MEMS开关产品,ADI开发了ADGM1004 MEMS开关,通过集成固态ESD保护技术来增强RF端口ESD性能。ADGM1004开关的RF端口人体模型 (HBM) ESD额定值已增加到5 kV。这个级别的ESD保护可谓MEMS开关行业首创。


集成式固态ESD保护是专有的ADI技术,可实现非常高的ESD保护 同时对MEMS开关RF性能影响最小。图3显示了采用SMD QFN封装的ESD保护元件。其中,芯片安放在MEMS芯片上,通过焊线连接至封装的RF引脚。这些都是针对RF和ESD性能进行了优化。


图3. ADGM1004驱动器IC(左)和MEMS开关芯片(右),带RF端口ESD保护芯片安放在MEMS管芯之上并线焊至金属引线框架。


为了实现ADGM1004产品,ADI将三种专有光刻技术与组装和MEMS封盖技术相结合,以实现这一性能突破。


RF和0 Hz/DC性能
 
MEMS开关的优势是它在一个非常小的表贴封装中实现了0 Hz/dc精密性和宽带RF性能。图4显示了ADGM1004单刀四掷 (SP4T) MEMS开关的实测插入损耗和关断隔离性能。插入损耗在2.5 GHz时仅为0.45 dB,在带宽高达13 GHz时为–3 dB。RF功率处理额定值为32 dBm(无压缩),三阶交调截点 (IP3) 线性度在频率范围内恒定为67 dBm(典型值),频率极低时无性能降低。


图4. ADGM1004 MEMS开关RF性能线性标度<10 MHz


ADGM1004 MEMS开关设计为0 Hz/dc精密应用提供极高的性能。表1列出了这些重要规格。


表1. ADGM1004精度规格I 


表1列出了HBM ESD额定值,RF端口的额定值为5 kV HBM,相比ADGM1304器件的100V HBM有大幅提升。这提高了人工处理ESD敏感型应用的易用性。


表2. ADGM1004精度规格II



无论什么市场,小尺寸解决方案都是一项关键要求。图5利用实物 照片比较了ADGM1004 SP4T MEMS开关的封装设计与典型DPDT机电继电器的尺寸,ADGM100体积缩小了高达95%。

图5. ADGM1004 MEMS开关(四开关)与典型机电式RF继电器(四开关)的比较。


最后,为了帮助系统设计人员,我们对ADGM1004开关的热切换寿命(进行RF功率传输时对通道进行切换)进行了特性化测试。图6显示了进行2 GHz、10 dBm RF信号热切换时的寿命概率。样本测试的故障前平均循环次数 (T50) 为34亿次。更高的功率测试结果,请参见ADGM1004数据手册。


图6. 10 dBm RF信号热切换时95%置信区间 (CI) 下的对数正态故障概率。


具有开创性的增强型ESD保护性能的ADGM1004 MEMS开关可以大幅提高易用性,同时在RF应用和0 Hz/dc应用中都能保持卓越的开关性能。ADI的MEMS开关技术具有从0 Hz/dc开始的世界顶级的带宽性能,相比RF继电器,MEMS开关的体积缩小多达95%,可靠性提升10倍,速度提升30倍,功耗降低10倍。ADGM1004 MEMS开关为ADI公司性能优异的开关产品阵营又添异彩。

相关资讯
强强联合!英伟达50亿入股英特尔

英伟达投资50亿入股英特尔股票

​温补晶振(TCXO)核心技术解析:8大关键参数决定系统时序精度​

在高速通信、精准导航与精密测量等尖端领域,电子系统的时序架构对时钟信号稳定性的要求已近乎苛刻——其精度如同机械钟表的游丝摆轮,微小偏差便可能引发整个系统的时序紊乱,导致数据传输错误、定位偏移或测量失准。环境温度的波动一直是普通晶振频率稳定性的最大挑战,而温补晶振(Temperature Compensated Crystal Oscillator,简称TCXO)作为高精度时钟基准的核心器件,正是为解决这一核心问题而生。它凭借内置的“感知-计算-补偿”机制,在宽温环境下实现对频率的精准锁定,将温度变化引发的漂移压制在极低水平,成为高端电子系统中不可或缺的“时序锚点”。要真正理解并选型这一精密器件,就必须深入剖析其决定性能优劣的几个重要参数。

汽车BMS技术:动力电池的“智慧守护者”,全维度解密其核心优势与应用场景

本文将深入剖析汽车级BMS的核心技术优势及其广泛的关键应用场景

工业检测为何必须用工业相机?普通相机的四大核心短板解析

工业相机是根据工业检测的特殊需求进行深度优化与强化的专业设备

贸泽开售Renesas Electronics RA8P1微控制器 为先进AI提供高CPU性能

Renesas Electronics RA8P1微控制器可提供超过7,300 CoreMarks的CPU性能,以及在500 MHz时256 GOPS的AI性能