Plessey宣布2018上半年推出业内首款单片micro LED显示器

发布时间:2018-01-23 阅读量:1700 来源: 发布人:

  屡获殊荣的光电子技术解决方案领先开发商Plessey Semiconductor于1月5日宣布,将在2018年上半年率先推出基于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的单片micro LED显示器。



  Plessey公司已经开始着手制定该专利的企业授权计划,后续公司产品GaN上的专利将授权给micro LED制造商,以符合其成为光子行业最重要的技术平台提供商的新业务战略。

  据Yole Développement预测,到2025年,micro LED显示器市场可能会达到3.3亿片,目前对micro LED显示器的需求正在加速。而且,硅基氮化镓解决了大批量生产micro LED显示器的应用技术难题,Plessey打算凭借其采用硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)方法制造的单片微型LED显示器,率先展示其在该领域的专业技术。

  Plessey半导体首席执行官Michael Le Goff解释说:“我们决定成为一家技术平台提供商,以便将我们的技术推广给更多的制造商,以满足不断增长的需求。

  通过率先推出单片micro LED显示器,我们将展示更广泛的专业知识和成熟的交钥匙解决方案,使制造商能够加快micro LED显示器的开发和生产,以满足新兴应用的需求。“

  使用非单片方法制造微型LED显示器所面临的主要挑战之一是将LED芯片放置在CMOS背板上,目前通过拾放设备来实现。这涉及到每个LED的间距小于50μm的个别布置,需要新的昂贵设备,这受到生产率问题的影响。随着显示器像素密度的增加和音高的降低,拾取和放置在商业和技术上变得不太可行。

  Plessey公司新采用的工艺方法无需芯片放置,可以为包括虚拟现实(VR),增强现实(AR)和平视显示器在内的各种应用提供更小更高分辨率的显示器。作为市场上唯一的单片解决方案,Plessey的技术不需要拾取和放置设备,也不受相关生产力问题的限制。

  完全单片化的方法还支持驱动micro LED显示器所需标准CMOS电路的集成,以及高性能图形处理单元(GPU)的紧密集成,所有这些都可以使用标准CMOS制造方法来执行。通过解决所有的重大挑战,被许可人可以立即获得一个可以批量生产的技术平台。

  Plessey半导体公司首席技术官Keith Strickland博士评论道:“硅基氮化镓技术是唯一在可扩展性和性能方面有意义的技术。

  “它比蓝宝石具有更好的导热性能和更高的亮度,这就是为什么这种技术被广泛认为是唯一能够提供高分辨率,高亮度显示器的原因。


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