电解电容符号

发布时间:2013-04-7 阅读量:16837 来源: 我爱方案网 作者:

        电解电容想必大家都知道,在电路中也很常见,那么它在电路中的符号和具体结构大家清楚么?



电解电容和其分类


        电解电容是电容的一种,金属箔为正极(铝或钽),与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成,因电解质是阴极的主要部分,电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。
 
       电解电容器有两种:有极性电解电容器无极性电解电容器
  


电解电容器电路符号识图信息 

    图3-20所示是电解电容器的电路符号。这是国家标准最新规定的电路符号,符号中的“+”表示电容器有极性,且该引脚为正极;另一个引脚为负极,一般不标出负号标记。

电解电容

表3-2所示是其他昀电解电容器电路符号识图信息。

电解电容



有极性电解电容器结构

    有极性电解电容器的结构与无极性电解电容器的结构有所不同,正是由于这一结构上的不同,两种电解电容器的引脚极性也不同。

电解电容


    图3-21(a)所示是有极性电解电容器内部结构示意图,图3-21(b)所示是功能结构示意图。

    图3-21(a)所示是一个铝电解电容器,分别用两层铝箔作为电容器的正、负极板,在这个正、负极板上分别引出正、负极性引脚.

    在两铝箔之间用电解纸隔开,使电容器的两极板绝缘。然后,将整个铝箔紧紧地卷起来,浸渍工作电解质(大多为糊状液体),再用外壳密封起来,这就是有极性电解电容器的结构。

     图3-21(b)所示的电解电容器的介质是氧化膜,它类似于晶体管中的PN结,具有单向导电特性。当电解电容器的正极引脚接高电位、负极引脚接低电位时,氧化膜处于阻流状态,如同PN结处于反向偏置状态,正、负极板之间的电流很小,电解电容器正常工作。


    当负极引脚接高电位、正极引脚接低电位时,氧化膜处于通流状态,如同PN结的正向导通一样,两极板之间的电流很大,将失去电容器酌作用。

    注意,这种正、负引脚接反后还会发生爆炸现象。

    电容器有极性是因为内部结构的原因,其内部存在一个类似PN结的结构。只有对这一“PN结”加上反向电压,有极性电解电容器才能正常工作。



无极性电解电容器结构  
  

    无极性电解电容器是电解电容器中的一种,又称为双极性电解电容器,图3-22所示是它的功能结构示意图。

电解电容


    从图中可以看出,这种电解电容器有两个氧化膜,且两个氧化膜一个为nip,另一个为pin。这样,无论正极1还是正极2中的哪一个加上高电位,另一个引脚加有低电位时,两个氧化膜中始终有一个处于通流状态,另一个处于阻流状态,使两极板之间无较大的电流流过,克服了有极性电解电容器两根引脚有正、负之分的不足。

    无极性电解电容器由于采用了双氧化膜结构,电解电容器的引脚变成了无极性,同时又保留了电解电容器的一些优点。不过,无极性电解电容器的成本比有极性电解电容器高,有的要高很多。

    有极性电解电容器具有体积小、电容量大、成本低的优点,但是它的两根引脚有正、负极性之分,这使它的使用范围受到了限制,而无极性电解电容器可克服成本低之外的不足。



小结:

       电解电容属于三大电容器,在电路中十分的常见,希望这里小编的总结,可以给大家带来帮助!



浏览过本文的人也浏览了:

1、电解电容原理:http://www.52solution.com/basic/3662

2、电解电容:http://www.52solution.com/basic/3659

3、电解电容的作用http://www.52solution.com/basic/4344

220x90
相关资讯
晶振启动时间影响因素解析与优化方向

​晶振的启动时间,通常是指其通电后进入稳定振荡状态所需的时间。若启动时间过长,可从以下五个常见的影响因素方面进行优化。

解析RTC实时时钟芯片的工作原理

RTC(Real-Time Clock,实时时钟)芯片作为一种独立的专用计时器件,其核心功能包括提供稳定的日历时钟、在主电源断电后持续运行、支持定时中断以及输出高精度时间戳,为各类嵌入式系统提供可靠的时间基准。

无源晶振与有源晶振在MCU应用中的关联逻辑与选型指南

时钟系统是保障微控制器(MCU)稳定运行的核心,而晶振作为关键时钟源,主要分为无源晶振与有源晶振两种类型。下面将围绕工作原理、硬件接口、电气特性及其在MCU中的适配场景等维度,系统解析这两类晶振与MCU之间的关联逻辑。

VC-OCXO压控恒温晶振管脚功能定义解析

恒温晶振(Oven Controlled Crystal Oscillator,简称OCXO)是高精度频率源的核心组件,选用切型更优(如SC切、AT切高精度型)、封装应力极小的高Q值晶片,通过恒温槽的超精密控温,让晶振始终工作在零温度系数点,几乎消除温度引发的频率漂移。

晶振倍频干扰解决方案:从PCB布局优化到源头抑制与电路整改

晶振倍频干扰(即高次谐波辐射)是电磁兼容(EMC)设计中非常棘手的问题,通常表现为基频25MHz的5次、7次谐波(如125MHz、175MHz等)处辐射超标。该问题源于晶振输出方波信号包含丰富的高次谐波成分,若PCB布局不当,晶振及其走线极易构成高效辐射天线,导致电磁干扰增强。