发布时间：2019-07-5 阅读量：1113 来源: 德州仪器 发布人: CiCi
USB 电力输送（PD）标准支持通过USB进行高达100W的电力输送，该电力足以驱动笔记本电脑、显示器和DLP®电影放映机等高功率设备。
USB PD适配器通常采用电感-电感-电容（LLC）或准谐振（QR）反激进行隔离式DC/DC转换。LLC的优势在于其支持具有软开关的功率开关，但由于其窄增益限制，并不适用于宽输出电压范围。而且，QR反激在不连续电流传导模式下工作，且在所有输出电压范围内都不能实现全软开关。此外，变压器漏感的损耗限制了实际的最大开关频率。当设计人员想要实现高功率密度和小适配器尺寸时，上述不足就给功能的实现带来了很大的限制。
有源钳位反激（ACF）是一种可克服这些限制的新型谐振拓扑。与QR反激不同，ACF可实现软开关和漏感能量回收。临界导通模式ACF使用小型负磁化电感在整个负载范围内实现零电压开关（ZVS）。此外，输出整流器可在关断期间实现零电流开关（ZCS），这将降低整流器的反向恢复损耗，并提高电磁干扰性能。凭借这些优点，可实现高频率和高效率的适配器。
使用德州仪器30 W/in3、93.4％效率、100 W AC/DC适配器参考设计的电路包括基于UCC28056的前端转换模式功率因数校正（PFC）电路，然后是基于UCC28780的用于隔离式DC / DC转换的ACF。图1是参考设计的详细系统框图。
图1：AC/DC适配器参考设计系统框图
设计人员最关注的特征是无外壳的超高功率密度30 W/in3。首先，临界导通模式ACF可以实现高开关频率，使得RM8内核可用于变压器。而且，由于具有超高转换器效率，无需使用散热器，从而既节省了空间，也提高了功率密度。图2所示为AC/DC适配器参考设计电路板。
图2：AC/DC适配器参考设计电路板
设计师关注的另一重要特征是该设计的高效率。UCC28780实现了主开关的ZVS和次级整流器的ZCS。次级谐振配置形成初级电流波形，从而降低初级均方根（RMS）电流并显著改善同步整流器操作。氮化镓场效应晶体管用于ACF初级侧开关，以提高效率，因为它们具有较小的寄生参数。通过在5 VOUT和9 VOUT下关闭PFC级，可进一步提高效率。图3所示为参考设计的平均效率曲线。
图3：AC/DC适配器参考设计平均效率曲线
总之，100 W AC/DC适配器参考设计为USB PD适配器提供了完整的解决方案，适用于任何100 W应用。高效率和高功率密度使该适配器具备更强大的性能且更加便携。
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年，全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片，2024-2028年复合增长率达7%。其中，7nm及以下先进制程产能增速尤为显著，将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片，年复合增长率14%（行业平均的2倍），占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认，高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将首次采用双轨代工策略：台积电负责基于N3P（3nm增强版）工艺的通用版本，供应主流安卓厂商；而三星则承接其2nm工艺（SF2）专属版本，专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖，三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下，存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元，创历史新高，其中高带宽内存（HBM）业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破，美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单，更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%，直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成，一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
随着汽车智能化升级，高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体（ST）推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放，以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能，为车载音频设计带来突破性解决方案。
随着汽车智能化电动化进程加速，自动驾驶（AD）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元（ECU）和传感器，导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）的需求随之水涨船高，尤其是在集成电路（IC）周边，对大容量电容的需求尤为迫切。然而，有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾，元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。
