发布时间：2019-12-11 阅读量：733 来源: 发布人: CiCi
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。
从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。
为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。
SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。
2025年第一季度，全球AI智能眼镜市场迎来戏剧性增长。行业数据显示，该季度全球总销量突破60万台，较2024年同期飙升216%。然而，表面繁荣下隐藏着市场高度集中的结构性失衡——仅Ray-Ban Meta单品牌就贡献了52.8万台的销量，占据全球市场88%的绝对份额。这一现象折射出中国市场的深层困境：尽管雷鸟V3、小米AI眼镜等本土产品已实现稳定供应，但“发布会热度高涨，终端销售遇冷”的尴尬局面仍在持续，产业整体仍处于发展阵痛期。
华尔街对人工智能（AI）的空前乐观情绪持续升温，将芯片巨头英伟达推至聚光灯下。该公司市值于盘中交易中一度触及惊人的3.92万亿美元，超越苹果公司在2023年12月创下的3.915万亿美元收盘市值纪录，距离全球市值最高公司的王座仅一步之遥。
国际权威调研机构Omdia于7月3日发布最新预测数据显示，2025年全球电视出货量预计达2.087亿台，与2024年同期基本持平，同比微降0.1%。在全球消费电子需求疲软的背景下，北美与中国市场逆势突破，成为驱动行业发展的核心动力。
全球半导体巨头三星电子在美国德克萨斯州泰勒市（Taylor, Texas）投资建设的先进芯片制造工厂，其原定于2024年的投产计划现已推迟至2026年。据行业知情人士透露，建设进度调整的主要动因在于当前难以锁定足够的客户订单以及需要适应市场对更尖端制程工艺的需求变化。这一变动引起了外界对半导体市场复苏节奏和大型投资项目落地挑战的关注。
多方供应链信息及行业分析师报告显示，苹果公司（Apple Inc.）针对首款可折叠iPhone的开发工作已进入实质性的原型机（Prototype）阶段。据悉，该项目于今年6月已正式迈入P1（Prototype 1）原型开发阶段。按照苹果既定的产品开发流程，后续还将经历P2和P3阶段，整个Prototype开发流程预计持续约6个月。在此期间，供应链伙伴将进行小批量试产，并由富士康（鸿海精密）及和硕等主力组装厂进行组装整合，核心目标是验证初期生产可行性与关键组件的良品率。
