发布时间：2022-11-22 阅读量：668 来源: 发布人: 秋天
第三代半导体在我国发展的开端应追溯至2013年。当年我国科技部制定“863计划”首次明确将第三代半导体产业划定为国家战略发展产业。随后2016年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点之一。至此，我国企业开始加大对第三半导体研发投入。2018年中车时代电气建成了我国首条6英寸碳化硅SiC生产线。同年泰科天润建成了我国首条碳化硅SiC器件生产线。2019年，三安集成建成了我国首条6英寸氮化镓GaN外延芯片产线并投入量产。2020年华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。
2020年第三代半导体产业被编入了我国“十四五”规划。截至当年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。2021年，我国SiC衬底环节新增投产项目超过7项，新增投产年产能超过57万片。
* SEMI-e上届展会现场照片
本届展会重点打造的以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体展区以及第三代半导体产业发展高峰论坛等系列同期活动。诚邀您前来交流！
更多精彩同期活动
申请入场证件
长按二维码
在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中，高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出，以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**，为高压场景提供了突破性解决方案。
在工业4.0浪潮推动下，液位测量作为过程控制的核心环节，其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈，难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片，通过隧道磁阻（TMR）技术突破传统局限，为高精度液位监测提供新一代解决方案。
英飞凌科技股份公司近日宣布，其基于300mm（12英寸）晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产技术已取得实质性突破，相关生产流程全面步入正轨。根据规划，首批工程样品将于2025年第四季度交付核心客户，标志着英飞凌成为全球首家在现有大规模制造体系内实现300mm GaN工艺集成的IDM（垂直整合制造）厂商。
日本半导体制造装置协会（SEAJ）7月3日发布修订报告，预计2025年度（2025年4月-2026年3月）日本半导体设备销售额将达48,634亿日元，同比增长2.0%，连续第二年刷新历史纪录。2024年度销售额同比暴涨29.0%至47,681亿日元，首次突破4万亿日元大关。更关键的是，2026年度销售额预计跃升至53,498亿日元（约合5.3万亿日元），年增10.0%，成为史上首个跨越5万亿日元大关的年度；2027年将进一步增长至55,103亿日元，实现连续第四年创新高。
市场研究机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年第二季度中国智能手机市场同比小幅增长1.5%。这一温和回升主要由华为与苹果两大品牌驱动，其中华为以12%的同比增速领跑市场，时隔四年重回季度出货量第一宝座，而vivo则以9%的跌幅成为前五厂商中唯一下滑品牌。
