上海功成半导体科技有限公司——聚焦光储充 迈向碳中和

【导读】第十一届中国电子信息博览会（CITE 2023）将于2023年4月7-9日登陆深圳会展中心（福田），以“创新引领 协同发展”为主题，在80000平方米展示面积打造全产业链科技应用场景，硬科技同台“飙技”，掀起一场信息产业的新浪潮！届时，上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C033展位亮相。

第十一届中国电子信息博览会（CITE 2023）将于2023年4月7-9日登陆深圳会展中心（福田），以“创新引领 协同发展”为主题，在80000平方米展示面积打造全产业链科技应用场景，硬科技同台“飙技”，掀起一场信息产业的新浪潮！届时，上海功成半导体科技有限公司将在1号馆1C033展位亮相。

上海功成半导体科技有限公司（CoolSemi）成立于2018年5月，总部位于上海，在无锡、深圳、成都等地设立分公司。功成半导体以市场需求为导向，技术创新驱动，致力于半导体功率器件的研发与产业化，为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。

展品1

展品名称：SJ MOSFET

展品类别：功率器件

展品特点：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJ  MOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJ  MOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。

CoolSemi的高压SJ  MOSFET，在全球领先的华虹宏力Deep-Trench工艺平台上，采用专利器件结构及特色工艺，开发出了覆盖500V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。

典型应用产品：充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域

展品2

展品名称：IGBT

展品类别：功率器件

展品特点：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极晶体管，是在普通VDMOS基础上，晶圆背面增加了P+注入，利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量，从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低，能够显著提高能效、降低散热需求，适用于高电压、大电流等大功率场景。

Coolsemi的IGBT采用目前业内最新的trench FS工艺，依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线，拥有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品根据应用场景的不同，拥有F、S、D、L等系列，覆盖了600V~1200V以及5A~100A的功率范围，广泛应用于通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电焊接、开关电源以及汽车电子等领域。

典型应用产品：通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感应加热设备、大型家电、电焊接、开关电源以及汽车电子等领域。