SK 海力士开发出业界首款 12 层堆叠 HBM3 DRAM 芯片

4月20日，SK海力士官网宣布，其已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3DRAM新产品，容量较上一代HBM3DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在上半年内完成量产准备，以“加强尖端DRAM市场主导权”。

SK 海力士表示：“继去年 6 月率先量产业界首款 HBM3 之后，公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加 50% 的 24GB 封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品，以满足由 AI 聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

公司技术团队在此次此新产品采用了先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术。SK海力士表示，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次开发出来的一种内存，由于它在实现运行在高性能计算（HPC）系统中的生成型 AI 中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 HBM3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品，因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

目前，SK 海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了 24GB HBM3 产品的样品，同时该产品的性能评估也在进行中。“SK 海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的 HBM 产品，是因为它在后端工艺中运用了领先的技术，”SK 海力士封装测试部门负责人洪相厚说，“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作，以进一步巩固其在 AI 时代尖端 DRAM 市场中的领导地位。”