如何正确选择合适的ARM核心板、ARM工控板的存储类型？

随着嵌入式行业的快速发展，ARM核心板、ARM工控板得到越来越广泛的应用。ARM核心板将主控制器（MPU）、内存、存储、电源管理等关键器件打包成的一个最小系统，完善的操作系统及驱动可以极大缩短项目开发周期。本文将简单阐述如何正确选择合适的存储类型。     

当前ARM核心板所用到的存储（电子硬盘）大体分为两类：Nand flash和eMMC。Nand flash存储器是flash存储器的一种，使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 ，一般是8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。  

eMMC 本质上还是Nand flash ，eMMC=Nand flash +闪存控制芯片+标准接口封装，其内部集成的闪存控制器具有读写协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能，极大降低了Nand-flash的使用难度。  

一般来讲，当主控制性能较低时（如ARM9、Cortex-A7），其所搭配的存储容量也较低，在256M、512M时通常选择Nand flash。当主控制性能较高时（如Cortex-A9、Cortex-A53），其所搭配的存储容量也较高，在4GB、8GB甚至32GB时eMMC将更具性价比。   

NAND Flash与eMMC   

只知道Nand flash和eMMC之间的简单区别，还不足以选择好存储，接下来我们看一下Nand flash闪存颗粒对性能、安全及价格方面的影响。  

Nand flash闪存颗粒主要包括四种类型：SLC、MLC、TLC、QLC。  

第一代SLC（Single-Level Cell）每单元可存储1比特数据(1bit/cell)，性能好、寿命长，可经受10万次编程/擦写循环，但容量低、成本高，市场上用的比较少；

第二代MLC（Multi-Level Cell）每单元可存储2比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，目前主流的核心板厂商大都配置该类型的存储；

第三代TLC（Trinary-Level Cell）每单元可存储3比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，大多数固态硬盘的选择；

第四代QLC（Quad-Level Cell）每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。  

SLC、MLC、TLC、QLC存储图示     

综合以上情况，若是用于一般性工业或商业应用的ARM核心板，搭载性价比较高的MLC NAND即可；若项目对数据、系统的要求极高，则需要选择SLC存储方案的ARM核心板，最大程度的降低因存储导致的系统崩溃或关键数据丢失。

方案介绍

支持单芯片和通用MCU的智能家居载波墙壁开关

1.方案介绍：

该方案采用MKL05带触摸功能的MCU，实现了在智能家居面板触摸检测的功能，节省板子空间并降低了方案成本。

基于窄带载波解决方案，采用了是我司代理的nxp的M0+内核mcu。

主要采用了MKL05内部的UART以及TOUCH，以及timer，GPIO等功能单元。

2.主要功能和性能参数：

a、支持单芯片实现触摸功能和通用MCU

b、小的封装体积

c、与现有PLC实现uart互通

3.方案应用细分市场：

a、智能电网

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框图：

基于新唐ML51开发的电池管理系统（BMS）—超低功耗MCU+AFE方案

方案简介  

1：基于ML51开发的电池管理系统（BMS）方案，是电池与用户之间的纽带，主要就是为了提高电池的利用率，防止电池出现过度充电和过度放电。  

2：系统特性  

•ML51是性能增强型 1T 8051微控制器，内嵌Flash，运行速度可达24 MHz  

•5至14节高精度电池电压测量功能  

•充放电电流测量功能  

•短路保护功能  

•内置电池平衡开关  

•外部充放电FET控制               

•双通道温度检测  

•过压保护功能

性能参数

行业分类 : 电源电池  

开发平台 : Nuvoton 新唐  

交付形式 : PCBA  

性能参数 : 运行速度 : 24 MHz  

应用场景 : BMS 电池保护板

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