发布时间:2024-12-13 阅读量:5005 来源: 我爱方案网 作者: bebop
摘要:在新能源系统构成中,除了集中式和组串式逆变器外,还有一种易于安装、配置灵活的微型逆变器。微型逆变器以其便捷的安装、长寿命设计以及易监控、易维护等特性,为安装商们带来了前所未有的便捷体验。其“即插即用”(Plug & Play)的安装方式大大简化了安装流程,降低了人力成本和时间成本。同时,微型逆变器通常设计有长达25年的使用寿命,减少了后期更换和维护的频率。本文将介绍微型逆变器的常见应用场景,并提供非常有竞争力的实战方案。
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与集中式和组串式逆变器相比,微型逆变器的特点十分明显。工业制造业的厂商采用了大众消费品的思维,瞄准了户用光伏这一精准用户人群的核心痛点,开发出了即插即用的DIY大杀器——“阳台光伏”。 与早年的户用光伏电站相比,阳台光伏的规模小了很多,1-2块光伏组件加上一个微型逆变器就构成了一套阳台光伏系统。阳台光伏仅需要有阳台就可以安装,而不需要用户拥有庭院或者屋顶,同时,阳台光伏不需要繁琐的建设审批,不需要建筑的结构改造,不需要专业的人工安装,极大的方便和拓展了目标用户。 价格方面,一套800W阳台光伏系统(含两块500W组件、一个800W逆变器、阳台支架、5米电缆)在德国的售价为600欧元,相当于一个中型家电的价格。我们来简单算一下账,800W的发电效率,全年等效日照时长按1000小时计算,则全年的发电量为800千瓦时,相当于每年可为家庭省下800度的电费。德国的居民电费在今年10月底为0.395欧元/度,那么阳台光伏每年可省下316欧元电费,不到两年即可收回购入成本。
在此背景下,微型逆变器的市场占有率正逐步攀升,2018-2020年全球微型逆变器出货量从1.18GW增加到2.28GW,2023年的出货量更是超过了4GW,五年的年均复合增长率接近40%。
半导体原厂也抓住这个机遇,相继推出非常有竞争力的微型逆变器方案。
基于STM32G474的400W微型逆变器方案
方案规格: 1. Vin(标准输入电压):36V 2. Vin_max(最大输入电压):55V 3. Vin_min(最小输入电压):18V 4. MPPT范围:20V至40V 5. Iin(标称输入电流):12A 6. Imax(最大输入电流):18A 7. Vbus(DC-DC标称输出电压):380V 8. Vbus_max(DC-DC最大输出电压):400V 9. Vac(交流标称输出电压):110VAC/60Hz、220VAC/50Hz 10. Iac(交流最大输出电流):1.8A/220VAC、3.6A/110VAC 11. Pac(最大输出功率):400W 方案优势: 1. 电源应用 : 400W Microinverter 2. 数位控制 (主控制芯片 : STM32G474 ) 3. 使用单一 MCU做 MPPT 与 Inverter 控制功能 4. 使用 PLL 锁相环进行环路控制 5. 隔离型 MPPT 符合规范需求 6. 采用ST第三类 SiC半导体,高频操作缩小体积 小华HC32F334光伏微型逆变器 本参考设计基于小华HC32F334数字电源芯片完成了交错反激式微型逆变器的应用方案开发,验证了HC32F334芯片完全能够胜任模拟与数字相结合、需要复杂PWM发波的数字电源应用场景;高效的系统设计、出色的性能指标以及完整的故障保护机制,验证了小华HC32F334芯片针对数字电源设计的优异性能。 方案规格 • PV电压范围:25~60V • 电网电压:200~240V @50Hz • 最大输出功率:500W • 开关频率:60kHz~200kHz • 峰值效率:94.7% • 入网电流THD:3.2% @Vpv=45V 500W • PF:>0.99 方案优势 • 基于自主知识产权的数字电源控制器方案 • 交错反激采用谷底开通断续模式,提高系统效率 • 交错反激输出馒头波,减小反激输出母线电容 • 全桥逆变采用工频开关,提高系统效率 • 经典扰动式MPPT环,快速准确找到MPPT点 • 保护功能齐全:输出过流,输入反激过流保护,反激输出电压过压保护等 • 效率高达94.7%
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在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
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电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作
汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。
韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。