利用单片机构建高效复杂的分立逻辑电路

发布时间:2024-12-17 阅读量:1977 来源: Microchip 发布人: lina

【导读】在许多嵌入式系统应用中,通常都会使用分立式逻辑器件,例如 74'HC 系列。这些 逻辑器件的优势在于可以独立于单片机(MCU)工作,并且响应速度比软件快得多。但 是,这些器件会增加物料清单(BOM)并且需要占用额外的 PCB 面积。


开发人员可利用 PIC16F13145 系列单片机中的可配置逻辑模块(CLB)外设实现硬件中复杂的分立逻辑功能,从而精简物料清单(BOM)并开发定制专用逻辑。


在许多嵌入式系统应用中,通常都会使用分立式逻辑器件,例如 74'HC 系列。这些 逻辑器件的优势在于可以独立于单片机(MCU)工作,并且响应速度比软件快得多。但 是,这些器件会增加物料清单(BOM)并且需要占用额外的 PCB 面积。


为了解决这一问题,Microchip 的许多单片机都集成了一种名为可配置逻辑单元 (CLC)的外设(在 PIC® MCU 上)或名为可配置定制逻辑(CCL)的类似外设(在 AVR® MCU 上)。这两种外设都实现了软件定义的定制逻辑,可以独立于 CPU 执行。换句话说, 一旦设置了定制逻辑功能,其行为就独立于单片机。 


但是,这两种外设存在限制,即每个实例的逻辑数量非常小。每个 CLC 大约相当于 一个查找表(LUT),而 CCL 相当于一个内部具有几个独立 LUT 的实例。这两种外设的功 能非常强大,可用于开发简单逻辑电路、将各种信号混合在一起以及与其他硬件外设相集成。例如,硬件按钮去抖、WS2812 输出生成和正交解码这些示例都需要使用这两种外设, 但单片机中这两种外设的数量并不多,因此限制了应用的复杂度。 


为了支持更复杂的应用,PIC16F13145 系列单片机引入了一种名为可配置逻辑模块 (CLB)的新型逻辑外设(如图 1 所示)。请注意,CLB 并不会取代 CLC 或 CCL 外设,器件 可以同时配备 CLC/CCL 和 CLB。 


利用单片机构建高效复杂的分立逻辑电路

图 1—— CLB 框图 



PIC16F13145 系列单片机上的 CLB 包含四个逻辑组,每组包含八个 BLE。不同逻辑 组的 BLE 之间彼此连接——每个逻辑组代表两个 GPIO 输出和一个可选的 CPU 中断。当工 作电压为 5.5V 时,BLE 的传播时间典型值小于 6 ns。整个结构中的所有 BLE 共用一个公共 时钟,其时钟源与可选的时钟分频器一起在软件中进行配置。CLB 可以使用单片机的内部 时钟源之一或外部提供的时钟源。 


该外设从单片机的存储器中进行初始化,之后可通过外设引脚选择(PPS)直接从 自身结构中控制引脚。用户可通过 PPS 重新分配用于硬件外设的 I/O 引脚,从而获得更大 的设计灵活性。举例来说,如果 SPI 时钟先前使用 RA1,但使用 RA6 会更有利,那么便可 以通过 PPS 重新映射引脚。 


CLB 中的其他元件包括专用的 3 位硬件定时器(带解码输出)、用于输入信号的边 沿检测器以及 32 位输出寄存器(用于调试)。单片机上的其他独立于内核的外设(CIP) 输出可用作 CLB 的输入,以便实现更复杂的设计。 


由于 CLB 比 CLC 或 CCL 复杂得多,因此 Microchip 开发了一款名为 CLB 合成器的新 工具。CLB 合成器提供了一个用于配置逻辑的图形界面,如下面的图 2 所示。除了逻辑原语之外,该工具还支持更高级的逻辑模块库(可由用户预先提供或定制)。 


与该图形工具交互时,后台会自动生成一个 Verilog 模块用于合成。如果开发人员 更喜欢编写自己的 Verilog 或者已准备好该文件,则可以将其作为模块直接导入工具。 


利用单片机构建高效复杂的分立逻辑电路

图 2——已打开相移键控(PSK)示例的 CLB 合成器 


CLB 合成器的输出是一个汇编文件,其中包含用于设置 CLB 的比特流和一些用于将 CLB 配置为外设的源代码。该工具可通过 MPLAB®代码配置器(MCC)或独立在线工具运行。MCC 是一款代码生成实用程序,允许用户使用可视化界面来设置和配置单片机中的 外设。当硬件外设完成配置后,MCC 将生成初始化代码和器件 API。 


在运行时,使用板上硬件直接从程序存储器加载 CLB 比特流。这种实现的好处在 于如果在程序运行时需要更改 CLB 配置,则可以使用存储在器件存储器中的不同比特流 重复执行加载过程。 


为了演示 CLB 的应用,我们创建了一系列用例示例。这里我们将讨论两个示例:7 段显示转换器和 SPI 至 WS2812 转换器。用例示例可作为构件复制以用作完整解决方案的 一部分。这里旨在展示该外设的实用性以及它能够为设计带来哪些价值。 


第一个用例是 7 段显示转换器。7 段显示器可通过一组普通的 I/O 引脚驱动,但标 准实现通常需要使用软件定义的查找表将输入数字转换为适合显示器的正确输出模式。在 该实现中,CLB 充当硬件查找表。所需的输出字符(0 到 F)从软件加载到 CLB 输入寄存 器中。显示器的每个输出段均由 LUT 控制,以将输入映射到输出。 


该用例示例在内部用于构建计时系统的新控制板。最初的用户界面是在 20 世纪 80 年代使用 74'HC 系列逻辑开发。使用 CLB 后,一个 20 引脚的单片机即可实现电路板上的 显示和键盘逻辑,极大地精简了物料清单(BOM)。图 3 并排给出了两种方案以供比较。 


利用单片机构建高效复杂的分立逻辑电路

图 3——原 PCB 与新 PCB 的并排比较。该示例由 Josh Booth 开发。 


下一个示例是 SPI 至 WS2812 转换器。WS2812 是一种单线串行协议,用于通过脉 宽调制控制 LED 阵列。


在本例中,SPI 硬件用作要发送到 LED 的数据的移位寄存器,而 CLB 用于将 SCLK 和 SDO 转换为预期的输出。 在本例中,这是通过单触发 3 位计数器、带使能功能的 D 锁存器和 4 输入 LUT 来 实现,如下面的图 4 所示。该实现的技巧体现在 SPI 和 CLB 的时钟源。SPI 时钟设置为空 闲高电平、在上升沿改变状态并以 WS2812 输出的频率(800 kHz)运行,而 CLB 的时钟 源以前者 10 倍的频率(8 MHz)运行。当 SCLK 为低电平时,将触发 3 位计数器并开始计 数。当计数到 7(0b111)时,3 位计数器将停止并保持为 0,直到时钟脉冲的下一个低电 平周期为止。 


计数器的输出与输出数据的锁存版本一起馈入 4 输入 LUT。这将设置数据的输出模 式,如图 4 的右侧所示。计数器复位后,计数器输出将保持为 0 以完成循环。之后,可 根据需要发送 SPI 硬件中的下一个字节,重复该循环。 


利用单片机构建高效复杂的分立逻辑电路

图 4——SPI 至 WS2812 转换器框图(由 Petre Teodor-Emilian 开发) 


这两个示例都证明了单片机内部分立逻辑的优势。硬件外设可将 CPU 从各种任务 中解放出来,从而缩短响应时间并降低功耗,同时减少元器件数量。有了 CLB,之前无法 在单片机内部实现的复杂应用现在都可以顺利开发。目前,可前往 Microchip 直销网站或 其他代理商处购买 PIC16F13145 系列单片机来获取 CLB。 


Robert Perkel 是 Microchip 的一名应用工程师。他主要负责编辑应用笔记,投稿文章和视频等技术内容,以 及分析外设的用例和开发代码示例与演示。Perkel 毕业于弗吉尼亚理工大学,获得了计算机工程理学学士学位。

(来源:Microchip Technology Inc.,作者:8 位单片机业务部应用工程师Robert Perkel)


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


我爱方案网


推荐阅读:

利用热插拔控制器,打造高可靠性系统架构

混合型交流浪涌保护器:浪涌防护的首选利器

集成Triphibian技术的创新压力传感器,极大简化设计且提高生产效率、降低成本

看SiC和GaN如何在电动汽车与数据中心领域大展拳脚

Vishay 采用薄形SOP-4封装的固态继电器,专为储能和工业应用打造


相关资讯
全闪存与软件定义双轮驱动——中国存储产业年度趋势报告

根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。

索尼启动半导体业务战略重组 图像传感器龙头或迎资本化新篇章

全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。

革新智能驾驶通信:移远车载蜂窝天线补偿器如何破解行业痛点?

在2025上海国际车展上,移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术,解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题,为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。

全球DRAM市场变局:三星技术迭代与SK海力士堆叠方案的对决

在全球DRAM市场格局加速重构的背景下,三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点,转而集中资源开发基于垂直通道晶体管(VCT)架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示,三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产,较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构,将存储单元面积缩减30%,并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题,被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。

京东方2025年一季度净利润飙升64% 显示业务领跑全球推动业绩新高

2025年4月28日,京东方科技集团股份有限公司(以下简称“京东方”)发布2025年第一季度财报,以多项核心经营指标的历史性突破,彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内,公司实现营业收入505.99亿元,同比增长10.27%,创下一季度收入新高;归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元,同比大幅增长64.06%,扣非净利润13.52亿元,同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地,以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。