SK海力士突破6层EUV光刻技术，1c DRAM制程引领高性能内存新时代

【导读】韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道，该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV（极紫外）光刻技术，显著提升了DDR5与HBM（高带宽内存）产品的性能、密度及良率，进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。

技术突破：EUV层数翻倍驱动效能升级

此前10nm级DRAM仅对少量关键层采用EUV工艺，主要依赖DUV（深紫外）光刻。而SK海力士在1c制程中将EUV应用层数增至6层，通过更精确的电路图案化，实现了存储单元密度的大幅提升。这不仅使DDR5内存具备更高读写速度与更低功耗，还为HBM堆栈提供了更高容量集成能力，满足AI与数据中心对高速内存的爆发性需求。

良率突破80%，量产进程加速

业界消息指出，1c DRAM目前的良率已达80%-90%，远超早期EUV工艺水平。高良率直接降低了生产成本，为SK海力士大规模量产高竞争力产品奠定基础。尽管该制程尚未用于消费级内存，但公司正积极开发基于1c技术的大容量DDR5模块及新一代HBM解决方案，预计将率先服务于高性能计算与云端服务器市场。

技术路线图：EUV深度整合指向High NA时代

SK海力士计划在下一代1d与0a DRAM制程中进一步扩大EUV应用比例。多层EUV技术的成熟，为后续导入High NA EUV光刻机铺平道路。这种新型设备具备更高分辨率，可支持2nm以下制程，推动DRAM进入亚10nm时代，持续突破存储芯片的物理极限。

市场影响：重塑全球内存竞争格局

此次技术突破使SK海力士在先进DRAM领域获得显著优势。随着AI芯片对HBM需求激增（年增长率超50%），以及DDR5在PC/服务器渗透率提升，6层EUV工艺将成为其争夺高端市场的核心筹码。分析师预测，该技术将加速TB级HBM4与万兆速率DDR6的商用化进程，重塑全球内存产业竞争格局。