发布时间：2024-12-20 阅读量：6091 来源: 发布人: lina
【导读】市场对工业应用的需求与日俱增，数据采集系统是其中的关键设备。它们通常用于检测温度、流量、液位、压力和其他物理量，随后将这些物理量对应的模拟信号转换为高分辨率的数字信息，再由软件做进一步处理。此类系统对精度和速度的要求越来越高，这些数据采集系统由放大器电路和模数转换器(ADC)组成，其性能对系统具有决定性的影响。
市场对工业应用的需求与日俱增，数据采集系统是其中的关键设备。它们通常用于检测温度、流量、液位、压力和其他物理量，随后将这些物理量对应的模拟信号转换为高分辨率的数字信息，再由软件做进一步处理。此类系统对精度和速度的要求越来越高，这些数据采集系统由放大器电路和模数转换器(ADC)组成，其性能对系统具有决定性的影响。
然而，ADC的输入驱动器也会影响整体精度，该驱动器用于缓冲和放大输入信号。此外，还必须增加偏置信号或生成全差分信号，以覆盖ADC的输入电压范围并满足其共模电压要求，在此过程中不得改变原始信号。可编程增益仪表放大器(PGIA)通常用作输入驱动器。在本文中，我们提出了一种输入驱动器和ADC的组合，通过这种组合可以实现非常精确的转换结果，从而构建高质量的数据采集系统。
例如，LTC6373就是一款适用于高精度数据采集系统的PGIA，除了全差分输出，它还具有高直流精度、低噪声、低失真（见图2）以及4 MHz的高带宽，增益为1/4~16。ADC可以通过它直接驱动，因此适合许多信号调理应用。
图1中的电路显示了使用LTC6373来驱动精密ADC的示例，ADC是具有1.8 MSPS的20位分辨率的AD4020。
图1. 驱动精密ADC的电路示例。
在该电路中，LTC6373在输入端和输出端直流耦合，因而不需要使用变压器来驱动ADC。增益可通过引脚A2/A1/A0在0.25 V/V至16 V/V 之间进行设置。在图1中，LTC6373采用差分输入至差分输出配置和±15 V对称电源电压。或者，输入也可以是单端输入，而输出仍然是差分输出。
在图1中，输出共模电压通过VOCM引脚设置为VREF/2。这样就可实现LTC6373的输出电平转换。LTC6373的每个输出在0 V至VREF之间变化，因此在ADC输入端有一个2× VREF幅度的差分信号。LTC6373的输出端和ADC输入端之间的RC网络形成一个单极点低通滤波器，它可降低在ADC输入端切换电容时产生的电流毛刺。同时，低通滤波器限制了宽带噪声。
图2. 使用LTC6373驱动AD4020的SNR（左）和THD（右）性能。
图2显示LTC6373的信噪比(SNR)和总谐波失真(THD)，其在整个输入电压范围(10V p-p)内驱动AD4020 SAR ADC（高阻态模式）。在吞吐量为1.8 MSPS，滤波器电阻(RFILTER)为442 Ω时可获得比较满意的效果。在1 MSPS或0.6 MSPS时，制造商建议RFILTER为887 Ω。
LTC6373可驱动大多数具有差分输入的SAR ADC，不需要另外增加 ADC驱动器。但是，在某些应用中，在LTC6373和精密ADC之间可以使用单独的ADC驱动器来进一步提高信号链的线性度。
结论
图1中所示的电路针对快速、高精度数据采集系统进行了优化。因此，LTC6373的出色特性有助于对传感器输出信号进行信号调理。借助在线工具ADI Precision Studio，特别是其中包含的ADC驱动器工具，ADI公司可以为此类放大级、滤波器和线性电路设计提供更多支持。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据，2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元，在全球市场占比提升至22%，展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破，在销售额（10.9%）和出货量（11.2%）两大核心指标上均跻身市场前两强，标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露，该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司（SSS）实施部分分拆，计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段，同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
在2025上海国际车展上，移远通信推出的全新车载蜂窝天线补偿器引发行业关注。该产品通过双向动态补偿、微秒级频段切换及混频电路集成等核心技术，解决了车载通信中长期存在的射频链路损耗难题，为智能网联汽车提供稳定高效的通信支持。本文将从技术优势、竞争分析、应用场景及市场前景等多维度解读这一创新方案。
在全球DRAM市场格局加速重构的背景下，三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点，转而集中资源开发基于垂直通道晶体管（VCT）架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示，三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产，较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构，将存储单元面积缩减30%，并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题，被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
2025年4月28日，京东方科技集团股份有限公司（以下简称“京东方”）发布2025年第一季度财报，以多项核心经营指标的历史性突破，彰显其作为全球半导体显示龙头企业的强劲发展动能。报告期内，公司实现营业收入505.99亿元，同比增长10.27%，创下一季度收入新高；归属于上市公司股东的净利润达16.14亿元，同比大幅增长64.06%，扣非净利润13.52亿元，同比飙升126.56%。这一业绩表现得益于其“屏之物联”战略的深化落地，以及“1+4+N+生态链”业务架构下各板块的协同创新。
