“HBM之父”金正浩：HBF决定AI存储容量，有望十年内超越HBM！

据市场预测，预计于明年实现商用的下一代NAND闪存产品——高带宽闪存（HBF），有望在未来十年内超越当前AI半导体核心组件高带宽存储器（HBM）的市场规模。

近日，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系教授金正浩在“HBF研究内容和技术发展战略简报会”上强调，“随着人工智能的思考和推理能力变得重要，从文本向语音界面的转变，所需的数据量将不可避免地急剧增加。”

金正浩解释称，“如果中央处理器（CPU）是个人电脑时代的核心技术，低功耗是智能手机时代的核心技术，那么在人工智能时代，存储器就是核心技术”。他还补充道，“HBM决定速度，HBF决定容量。”HBF是一种通过垂直堆叠NAND闪存来显著提升容量的内存，主要用于长期存储，与HBM类似。

因此，近年来NAND闪存在半导体行业的重要性日益凸显。随着人工智能代理服务的扩展，作为长期记忆的“键值”（KV）缓存的作用也日益增强。过去，HBM承担着这一角色，但越来越多的观点认为，NAND闪存更适合承担这一角色。

在本次简报会上，由被誉为“HBM之父”的金正浩领导的KAIST TeraLab介绍了当前人工智能技术的发展趋势和内存路线图。他是HBM基本概念和结构的构思者和设计者，而HBM是韩国率先在全球范围内成功实现商业化的核心人工智能半导体技术。

会上，金正浩展示了利用HBF的下一代存储器架构。其中包括一种在GPU两侧分别安装4个HBM和4个HBF，总容量为96GB HBM和2TB HBF的架构；以及另一种架构，其中两排分别安装8个HBM和8个HBF，以处理更大的容量。他强调，“HBM将作为书架，HBF将作为图书馆。从书架上，你可以立即取出并查看你需要的书，在图书馆即使速度稍慢，你也可以一次查看更多的书。”

金正浩预测，由于HBM本身无法应对急剧增加的需求，行业将不可避免地采用HBF。虽然当前结构涉及垂直连接多达2个图形处理单元（GPU）并在GPU旁边附加HBM以处理操作，但未来可以通过同时附加HBM和HBF来消除容量限制。当CPU、GPU和内存有机地结合在单个基本芯片上的MCC（内存中心计算）架构完成时，所需的HBF容量将进一步增加，并且从2038年起，HBF的需求将超过HBM。

“由于HBF流程与现有的HBM流程几乎相似，它最终将成为一场技术速度竞赛，但对于全面商业化，哪些服务采用它将很重要。”金正浩认为，以存储器为中心的人工智能时代将展开。继HBM之后，韩国存储器制造商还必须在HBF上采取主动，以免在人工智能市场上失去影响力。

综上所述，当前韩国在HBM领域已占据先发优势，而HBF作为未来十年内可能超越HBM市场的新兴赛道，已成为国际半导体巨头竞争的前沿阵地。HBF以其超大容量和可扩展性，有望成为应对AI数据洪流的关键存储解决方案。