存储市场迎来关键转折 美光领涨引发连锁反应

【导读】在全球存储芯片市场持续回暖的背景下，行业头部企业接连释放涨价信号。继西部数据旗下SanDisk与国产龙头长江存储宣布调价后，美光科技于3月25日向渠道商发出正式涨价函，标志着存储芯片市场正式进入价格修复周期。

美光率先启动全产品线提价

根据美光最新发布的渠道公告，该公司将全面提高DRAM和NAND Flash产品定价，具体涨幅虽未披露，但内部备忘录已明确要求渠道商更新报价体系。值得关注的是，美光将本轮涨价与人工智能技术革命直接关联，强调其HBM高带宽内存和高速闪存在AI服务器、智能终端等领域的需求暴增。公司特别呼吁合作伙伴提供12-18个月的长期采购预测，以保障供应链稳定性。

国际厂商策略性调价同步落地

早前，SanDisk已宣布自4月1日起全渠道产品涨价超10%，其官方声明直指"关税政策调整带来的成本压力"和"供需关系逆转预期"。与此同时，供应链消息显示长江存储旗下致态品牌渠道报价将于二季度上调15%左右，创下国产存储芯片单次最大涨幅。两大阵营同步动作，折射出行业定价权的深度博弈。

市场供需结构加速重构

TrendForce最新报告揭示了价格变动的深层逻辑：NAND Flash市场一季度虽维持13-18%的跌势，但主要原厂已启动产能动态调整。三星、SK海力士等头部企业将NAND晶圆投片量缩减至需求量的110%，较疫情前150%的激进扩产明显收缩。机构预测三季度NAND价格将强势反弹10-15%，四季度续涨8-13%，形成V型反转曲线。

DRAM市场则呈现技术分层特征。尽管传统DDR4产品二季度仍有0-5%的微跌，但搭载HBM3e技术的先进存储模组已实现3-8%的溢价。值得注意的变量在于，美国可能实施的半导体关税新政正驱动戴尔、惠普等OEM厂商提前备货，渠道库存周转天数从45天压缩至32天，加速市场出清进程。

产业链博弈进入新阶段

当前存储芯片的交货周期已从6周延长至8-10周，主要原厂在资本开支趋紧的背景下，更倾向于优先保障AI服务器客户的HBM产能。分析人士指出，消费级产品供应缺口可能在三季度显现，部分模组厂已启动战略储备。这场由技术升级驱动、地缘政治加码的存储变局，或将重塑全球半导体产业格局。

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