SK海力士首超三星登顶全球DRAM市场 高需求HBM芯片成胜负手

发布时间:2025-04-9 阅读量:1017 来源: 综合自网络 发布人: wenwei

【导读】全球DRAM市场迎来历史性洗牌。根据市场研究机构Counterpoint Research最新报告,2025年第一季度,SK海力士以36%的营收份额首次超越三星电子(34%),登顶全球DRAM市场榜首,美光则以25%的份额位居第三。


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这一突破性进展源于SK海力士对高带宽内存(HBM)市场的精准布局。作为人工智能服务器核心组件,HBM芯片因大模型训练需求持续爆发,其制造技术门槛极高且供不应求。SK海力士凭借早期技术投入,成为英伟达等AI巨头的关键供应商,直接拉动其DRAM收入增长。


HBM需求改写行业规则


Counterpoint高级分析师Jeongku Choi指出:“HBM的复杂工艺导致产能高度集中,先发企业已建立难以逾越的壁垒。”数据显示,2025年Q1全球HBM芯片收入同比激增超200%,占DRAM市场总营收比例首次突破30%。三星虽加速扩产,但在HBM3E等先进制程量产进度上仍落后于SK海力士。


贸易风险与长期挑战并存


尽管短期内AI需求为HBM市场提供“护城河”,Counterpoint研究总监MS Hwang警告称:“全球关税政策可能引发结构性冲击,若经济衰退导致AI投资降温,HBM市场将面临重大考验。”当前,主要厂商正通过分散封装产能(如美光在墨西哥设厂)应对供应链风险。


该机构预测,2025年第二季度DRAM市场格局将延续当前态势,但随着三星5nm HBM3E产能释放和台积电CoWoS封装瓶颈缓解,下半年竞争或进一步白热化。行业共识表明,未来三年内,HBM技术迭代速度与AI服务器部署规模将成为DRAM厂商排位的核心变量。



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