SK海力士首超三星登顶全球DRAM市场 高需求HBM芯片成胜负手

发布时间:2025-04-9 阅读量:1328 来源: 综合自网络 发布人: wenwei

【导读】全球DRAM市场迎来历史性洗牌。根据市场研究机构Counterpoint Research最新报告,2025年第一季度,SK海力士以36%的营收份额首次超越三星电子(34%),登顶全球DRAM市场榜首,美光则以25%的份额位居第三。


5.jpg


这一突破性进展源于SK海力士对高带宽内存(HBM)市场的精准布局。作为人工智能服务器核心组件,HBM芯片因大模型训练需求持续爆发,其制造技术门槛极高且供不应求。SK海力士凭借早期技术投入,成为英伟达等AI巨头的关键供应商,直接拉动其DRAM收入增长。


HBM需求改写行业规则


Counterpoint高级分析师Jeongku Choi指出:“HBM的复杂工艺导致产能高度集中,先发企业已建立难以逾越的壁垒。”数据显示,2025年Q1全球HBM芯片收入同比激增超200%,占DRAM市场总营收比例首次突破30%。三星虽加速扩产,但在HBM3E等先进制程量产进度上仍落后于SK海力士。


贸易风险与长期挑战并存


尽管短期内AI需求为HBM市场提供“护城河”,Counterpoint研究总监MS Hwang警告称:“全球关税政策可能引发结构性冲击,若经济衰退导致AI投资降温,HBM市场将面临重大考验。”当前,主要厂商正通过分散封装产能(如美光在墨西哥设厂)应对供应链风险。


该机构预测,2025年第二季度DRAM市场格局将延续当前态势,但随着三星5nm HBM3E产能释放和台积电CoWoS封装瓶颈缓解,下半年竞争或进一步白热化。行业共识表明,未来三年内,HBM技术迭代速度与AI服务器部署规模将成为DRAM厂商排位的核心变量。



推荐阅读:


2024Q4全球智能手机市场格局生变:苹果独占半数行业收入,高端化浪潮助推市场洗牌

艾迈斯欧司朗455nm高功率蓝光激光器亮相光博会,电光效率突破43%

第三代半导体强强联合!兆易创新携手纳微半导体共拓智能能源新版图

DigiKey 2025慕尼黑电子展:沉浸式创新与全球技术联结

川土微CA-IS3223EHS-Q1半桥驱动器:±800V隔离+20V宽压,精准驱动中小功率系统



相关资讯
我们还需要GPU吗?从LineShine登顶看纯CPU超算的四层技术突围

在英伟达GPU与CUDA生态长期主导AI训练与科学仿真的背景下,国产LineShine(灵晟)纯CPU超算以2.198 EFlops持续双精度性能登顶TOP500,印证了“矩阵增强型CPU”正在重构HPC底层硬件标准。 近日,Jack Dongarra、Satoshi Matsuoka、Torsten Hoefler三位HPC权威联合发表《Do We Still Need GPUs? Rethinking AI and Scientific Computing on Matrix-Enhanced CPUs》,系统拆解了无GPU同构超算的四层技术体系:处理器指令集硬件加速、统一HBM高带宽内存架构、全精度混合运算单元、原生高速互联网络。

从“回答问题”到“完成任务”:AI产业正在发生的五个结构性转向

回顾AI今年的发展轨迹,我们能察觉到一种质的变化:AI不再只是被展示、被调用的“展品”,而是拥有了更明确的“行动感”。从代码编写到机器人奔跑,从算力基建到未来接口,行业正集体从“回答问题”走向“完成任务”。 我们试图透过五个数字,捕捉这一轮产业变革中的关键切片。

ROHM车载MOSFET新品:抑制二次击穿,SOA范围扩大5倍

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET新品“RS4P063BPHZG”

斩获SAIL最高奖背后:DF1000如何破解国产算力“存不够、改不动”?

2026 WAIC落下帷幕,国内AI算力产业的共识正发生清晰转向:单点参数竞赛逐渐退潮,超节点集群、全产业链自主可控与底层架构原始创新成为核心主线。在此背景下,首次参展的东方算芯凭借“高能效软件定义近存计算芯片DF1000”斩获大会最高荣誉SAIL奖。这座奖杯背后,指向了一条不依赖先进制程与既有生态的突围之路。