三星超薄旗舰S25 Edge销量遇冷,供应链策略面临调整​

发布时间:2025-06-24 阅读量:38 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】三星电子2024年5月发布的超薄旗舰机Galaxy S25 Edge近期陷入销售困境。根据韩国科技媒体《The Elec》披露,该机型上市首月销量不及预期,三星已紧急缩减生产订单以管控库存风险。此举引发业内对超薄手机技术路线可行性的深度讨论。


12.png


产品创新与技术突破


Galaxy S25 Edge凭借5.8mm极致机身厚度及163克轻量化设计,刷新高端手机物理形态记录。其采用平面金属中框与磨砂玻璃背板组合方案,配合高通独家定制的Snapdragon 8 Elite for Galaxy处理器(台积电3nm工艺制程),在保持超薄结构的同时实现旗舰级性能输出。光学系统由大立光提供定制镜头模组,晶技供应高精度温补晶振,硬件配置处于行业顶尖水平。


市场表现不及预期


尽管产品获得专业媒体高度评价,但终端市场反响平淡。渠道数据显示,S25 Edge首销周期销量较同系列Ultra机型低约35%,主要消费群体对超薄设计带来的功能妥协存在顾虑:电池容量缩减至4100mAh,无线充电模块取消,散热系统效率受限等问题成为用户核心痛点。


供应链影响评估


当前产能调整对核心供应商影响有限:


  ●  台积电3nm产能主要服务苹果A系列及英特尔CPU订单,三星订单占比不足3%

  ●  大立光超薄镜头已同步导入小米14 Ultra供应链

  ●  晶技石英元件属通用型物料,可快速转换客户产能


不过若三星延续保守策略,明年S26系列或取消超薄产品线,相关定制化零部件厂商将面临订单波动风险。


行业技术路线面临重构


IDC最新报告指出,2024年Q1全球超薄手机(<6.5mm)出货量占比仅2.1%,较厂商预期低50%。OPPO、vivo已暂缓超薄机型上市计划,转而强化折叠屏产品矩阵。苹果则持续加码ProMax系列大屏机型,业内专家认为超薄设计或仅适合作为技术展示,大规模商业化仍需解决续航与散热的根本矛盾。


产业转型方向展望


尽管当前遇挫,手机形态创新仍在持续探索。三星显示已投入0.8mm超薄UTG玻璃研发,小米公布新型硅碳负极电池技术路线图,可在相同体积下提升23%电量。业界共识认为,超薄设计需配合电池技术突破才能获得市场认可,2025年有望成为关键转折点。


相关资讯
汇聚产业全景,引领智造未来:AIoT全产业链精英深度碰撞

2025年6月20日,IOTE 2025·上海站在上海新国际博览中心N5馆圆满收官! 在万物智联的时代洪流中,物联网技术正以前所未见的速度重塑世界,驱动千行百业向智能化、数字化加速跃迁。本届展会以“生态智能,物联全球”为核心主题,携手全球移动通信标杆盛会MWC上海,不仅呈现了一场前沿技术的饕餮盛宴,更是物联网与移动通信深度融合、共绘发展新图景的生动实践,为全球AIoT产业的蓬勃脉动注入强劲活力与动能。

高抗扰驱动器选型指南:SGM58000 集成方案挑战 ST/安森美驱动器性能极限

在工业自动化、新能源汽车、高效电源等应用领域日益追求高功率密度与高可靠性的今天,高性能的栅极驱动器扮演着至关重要的角色。它们作为功率开关器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)与控制信号之间的关键"桥梁",其性能直接决定了系统效率、开关速度、电磁兼容性(EMC)以及整体可靠性。本文将聚焦行业备受关注的意法半导体新一代集成化方案(STDRIVE102H/BH)、圣邦微电子的三相驱动器(SGM58000)以及安森美的双通道高端驱动(NCD57252),进行深度对比分析,揭示各自优势及适用场景,为工程师选型决策提供专业参考。

突破0.5mg漂移极限!村田发布工业级三轴MEMS加速度计

工业数字化转型加速推动预测性维护需求增长,尤其桥梁、大型建筑等基础设施的结构健康监测(SHM)领域。传统高精度加速度传感器长期面临偏移漂移大、环境适应性弱等痛点。村田制作所最新推出的SCA3400系列数字三轴MEMS加速度传感器,以≤0.5mg的偏移寿命漂移值突破行业极限,为工业设备状态监测树立新标杆。

先进制程角逐2026:3nm/2nm将占旗舰手机芯片三成市场

全球智能手机芯片领域正迎来新一轮工艺迭代浪潮。知名研究机构Counterpoint Research最新报告指出,3nm及更先进的2nm制程技术将在2026年占据智能手机应用处理器(SoC)出货总量的近三分之一(约33%),成为驱动高端设备性能跃升的核心引擎。这一演变标志着半导体制造技术对移动终端能力的决定性影响达到新高度。

罗姆第4代SiC MOSFET赋能丰田bZ5电动车 中日合资模块实现量产突破

2025年6月24日,全球半导体巨头罗姆(ROHM)宣布其第四代碳化硅(SiC)MOSFET裸芯片已成功集成至丰田汽车面向中国市场推出的纯电动SUV车型"bZ5"的牵引逆变器系统。该技术突破由罗姆与中国正海集团合资设立的上海海姆希科半导体有限公司(HAIMOSIC)实现规模化量产,标志着中日产业链协作在高端功率模块领域取得实质性进展。