发布时间：2025-07-5 阅读量：76 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】英飞凌科技股份公司近日宣布，其基于300mm（12英寸）晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体量产技术已取得实质性突破，相关生产流程全面步入正轨。根据规划，首批工程样品将于2025年第四季度交付核心客户，标志着英飞凌成为全球首家在现有大规模制造体系内实现300mm GaN工艺集成的IDM（垂直整合制造）厂商。
相较于行业主流的200mm晶圆平台，300mm GaN技术在量产效率与成本控制方面具备显著优势。晶圆直径的提升使单位晶圆产出芯片数量增加2.3倍，大幅摊薄制造成本。这一核心突破将加速推动Si（硅基）与GaN器件在终端应用中的成本持平，为下游客户创造更高性价比的解决方案。
在技术性能层面，GaN半导体凭借其宽禁带特性，展现出远超传统硅器件的功率密度、开关频率及能量转化效率。这些优势直接转化为终端产品的竞争力：智能手机快充器件体积缩减40%以上，数据中心服务器电源能耗降低15%-20%，太阳能逆变器转换效率突破99%。同时，在工业自动化机器人、AI算力集群电源模块及新一代电动汽车车载充电系统中，GaN的高频特性正成为实现轻量化与高功率输出的关键技术路径。
英飞凌的IDM模式是其技术领先的重要基石。通过掌控芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条，公司能够深度协同优化工艺与产品设计，显著缩短开发周期并保障产能弹性。该模式不仅强化了供应链稳定性，更使英飞凌具备应对客户定制化需求的敏捷开发能力。2024年，英飞凌累计发布40余款新型GaN产品，覆盖消费电子至工业级应用场景，其专利组合规模居行业首位。
市场增长前景方面，行业机构Yole预测全球GaN功率半导体市场将在2030年达到25亿美元规模，年复合增长率高达36%。核心驱动力来自三大领域：可再生能源领域（光伏逆变器及储能系统）、消费电子领域（超薄快充及无线供电设备）、以及新兴产业（人形机器人电机驱动、激光雷达传感系统）。值得注意的是，随着台积电在2025年宣布逐步退出GaN制造业务，英飞凌有望填补产能空缺，进一步扩大其在全球功率半导体市场的领导地位。
在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中，高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出，以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**，为高压场景提供了突破性解决方案。
在工业4.0浪潮推动下，液位测量作为过程控制的核心环节，其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈，难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片，通过隧道磁阻（TMR）技术突破传统局限，为高精度液位监测提供新一代解决方案。
日本半导体制造装置协会（SEAJ）7月3日发布修订报告，预计2025年度（2025年4月-2026年3月）日本半导体设备销售额将达48,634亿日元，同比增长2.0%，连续第二年刷新历史纪录。2024年度销售额同比暴涨29.0%至47,681亿日元，首次突破4万亿日元大关。更关键的是，2026年度销售额预计跃升至53,498亿日元（约合5.3万亿日元），年增10.0%，成为史上首个跨越5万亿日元大关的年度；2027年将进一步增长至55,103亿日元，实现连续第四年创新高。
市场研究机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年第二季度中国智能手机市场同比小幅增长1.5%。这一温和回升主要由华为与苹果两大品牌驱动，其中华为以12%的同比增速领跑市场，时隔四年重回季度出货量第一宝座，而vivo则以9%的跌幅成为前五厂商中唯一下滑品牌。
三星电子在先进制程领域的最新进展引发业界高度关注。据报道，其3nm及2nm制程良率虽有提升，达到40%以上的量产门槛，但在与行业龙头台积电的较量中，性能和整体良率表现仍存在显著差距。这导致三星在争夺尖端制程大客户方面持续面临严峻挑战。
